Vapour Pressure Measurements of Germa nium Disulph
本文件深度剖析了二硫化锗（GeS₂）的蒸气压测定及其热力学性质，为出海从事高纯材料研发、半导体原材料生产或无机功能材料出口的科技型企业提供了关键的基础科研数据支持。文件通过实验测定了GeS₂在420~490℃范围内的蒸气压，并推导出其升华自由能、焓变与熵变等热力学参数，揭示了高温条件下该化合物的挥发稳定性与分解路径。对于布局海外高端电子材料市场的中国厂商而言，掌握此类精确物性数据有助于优化CVD工
报告时间：2023-03-30
报告来源：Coco跨境电商
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