为应对英伟达等公司对大型数据中心芯片的迫切需求，阿斯麦（ASML）宣布将携手主要客户，共同研发能制造更大尺寸先进芯片的新方案。
目前，ASML主流的极紫外（EUV）光刻机最大可制造约800平方毫米的芯片；而即将推出的下一代“高数值孔径”EUV设备虽然精度更高，却因使用较小尺寸的掩模版，在芯片制造面积上存在局限。为此，ASML制定了明确的时间表：计划于2031年展示采用大尺寸掩模版的试验生产线，并争取在2033年实现该技术的规模化量产。