SK海力士正加速扩大其第六代10纳米级（1c nm）DRAM工艺的产能。由于该工艺生产的芯片将作为核心组件，用于堆叠制造下一代高带宽内存（HBM），公司正全力推动技术转型。
行业数据显示，SK海力士1c nm DRAM的市场份额增长迅猛：从今年第一季度的约10%升至第二季度的13%，预计第三季度将达到24%，第四季度进一步增至34%。到明年第一季度，该工艺市场份额有望达到35%，首次超越目前主流的1b工艺（约占33%），成为新的市场主导技术。