英伟达新一代芯片Vera Rubin虽已进入量产爬坡阶段，但其下一代架构Feynman的研发与供应链准备已提前启动。据悉，英伟达正将资源集中投向预计于2028年下半年推出的Feynman平台，这一举动不仅推动了台积电先进技术的升级，也为全球半导体设备和材料供应商带来了新的订单机遇。
在技术路线上，当前的Rubin架构主要采用多颗小芯片（Chiplet）与高带宽内存（HBM）整合的方案；而未来的Feynman架构则将向3D小芯片、SoIC（系统整合芯片）及共封装光学（CPO）技术演进。业界分析指出，Feynman平台有望直接采用台积电2纳米制程的升级版——A16工艺，并大幅提升SoIC 3D堆叠技术的应用比例，同时搭配定制化HBM和CPO技术。
作为台积电先进制程与封装技术的最大客户，英伟达产品迭代速度的加快，直接加剧了台积电在先进制程和封装产能扩张上的压力。为应对这一挑战，台积电正加速推进嘉义AP7厂和南科AP8厂的建设，并提前布局SoIC、CoWoS-L以及下一代CoPoS等关键封装技术，厂务建设、无尘室施工及设备进场等工作均在全力抢工。
其中，台积电的SoIC技术通过将系统单芯片分割后的小芯片进行垂直堆叠（支持Chip-on-Wafer及Wafer-on-Wafer模式），能有效缩短信号传输距离，从而提升带宽并降低延迟与功耗。受英伟达、AMD等客户需求增长及Feynman量产计划提前的推动，台积电已大幅上调SoIC产能规划：原计划2026年底月产能达到2万片，最新目标则调整为2027年底月产能攀升至5万片。