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SK海力士推进EUV工艺,启用新材料PSM
2026-08-11 13:22 星期二
SK海力士正全力推动极紫外光刻(EUV)技术,旨在实现下一代DRAM内存芯片的量产。继去年首次引入高数值孔径(High-NA)EUV设备后,该公司今年已全面启动相关研发工作,并正式采用相移掩模(PSM)技术,以进一步提升EUV光刻的性能与精度。
AI解读
1、SK海力士推进EUV工艺将提升DRAM产能与良率,长期看有助于稳定内存价格并降低波动风险。对跨境卖家而言,这意味着存储类电子产品供应链更趋稳定,成本可控性增强,利好相关品类备货与销售。
2、主营数码配件、电脑周边及消费电子的卖家可关注内存条、SSD等选品机会,适时优化库存结构。建议密切跟踪上游晶圆厂产能释放节奏,在价格低位适度备货,同时避免盲目囤积高价旧制程产品,以规避跌价风险。
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