高盛科技专家肖恩·约翰斯顿（Sean Johnstone）在最新报告中指出，市场对于内存价格的上涨潜力存在显著分歧。
看涨方认为，由于高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的订单已排至2027年，且长期协议锁定了价格下限，内存行业仍拥有70%至80%的利润空间。
看跌方则分析称，内存价格上涨的动能正在减弱，预计将在明年第二或第三季度见顶，随后转为小幅下跌。高昂的利润率正促使客户重新设计芯片以降低成本，这可能打破供需平衡。例如，英伟达 reportedly 正在评估减少其Rubin Ultra芯片中HBM的堆叠层数和容量，SemiAnalysis测算此举可能将单机架HBM成本占比从近40%降至28%，这印证了看跌方的观点。
高盛总结认为，保守投资者已将内存股的市盈率预期从5倍下调至2至3倍。尽管内存价格在2027年中期前仍将持续上涨，但极度稀缺的阶段已经结束。未来的价格走势将取决于长期协议是否会引发产能大幅扩张，以及HBM产能的增长能否抵消传统存储芯片（DRAM/NAND）供应回归正常的趋势。