受全球DRAM（动态随机存取存储器）供应持续紧张影响，预计短缺局面将延续至2027年。在此背景下，英伟达自2026年第三季度起，开始重新评估其下一代Rubin Ultra芯片的高带宽内存（HBM）配置方案。
此前，英伟达一直将12层堆叠（12hi）的HBM4e作为基准设计。但由于HBM4e的验证进度存在不确定性，加之产能受限，英伟达目前正并行测试多种替代方案，包括8层堆叠的HBM4e、12层及8层堆叠的HBM4，最终规格尚未确定。与此同时，部分大型云服务商也在考虑降低其自研AI芯片的HBM容量，以应对供应压力。
这一策略调整主要源于两大制约因素：一是预计到2027年，整体DRAM短缺将限制用于生产HBM的晶圆产能；二是高阶HBM4e的量产良率提升和验证时间表仍不明朗。
行业分析指出，英伟达当前的首要目标是提升芯片的数据传输速度（I/O速度），而非单纯扩大出货量。如果最终采用较低规格的HBM方案，主要通过减少堆叠层数来实现。这将直接影响性能表现：若HBM4e能按期量产，传输速度有望从上一代的8–11.7 Gbps提升至14–16 Gbps；若退回优化后的HBM4设计，速度则可能维持在11–12 Gbps。
此外，减少堆叠层数是在“单颗芯片内存容量”与“可出货芯片数量”之间做出的权衡。尽管预计2027年HBM出货量将同比增长50–60%，但仍难以满足激增的需求。因此，内存供应商在2027年将掌握极强的定价权，HBM价格预计大幅上涨。面对供应有限和成本飙升的双重压力，AI芯片制造商更有动力采用低容量、低成本的HBM配置方案。