最新市场预测显示，到 2030 年，全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场将面临严重的供不应求。届时供应缺口预计高达 28.7EB，约占全年总需求的 18%。
具体来看，2030 年全球对 DRAM（包含高性能的 HBM）的总需求将飙升至 157.5EB，但实际供应能力仅能达到 128.8EB。其中，普通 DRAM 将成为最大的短板：预计年供应量约为 91EB，而需求量却高达 120EB，缺货比例将从目前的 18% 进一步扩大至 25% 左右。
报告指出，尽管三星、SK 海力士、美光以及中国厂商都在努力扩大生产，但新增的产能很快就会被爆发式增长的 AI 需求吞噬。造成这一局面的核心原因是 AI 基础设施的快速扩张：大模型的训练与推理不仅让 HBM 成为关键组件，也带动了传统服务器内存需求的激增。在这种长期紧平衡的状态下，DRAM 的平均售价预计将维持在每 Gb 1.5 至 2 美元的高位，这将持续推高服务器、个人电脑及各类消费电子产品的内存成本。