美光科技近日宣布，其位于美国弗吉尼亚州的 Fab 6 工厂正式投产采用 1α nm 先进制程的 LPDDR4 和 DDR4 内存芯片。这些产品将优先供应汽车、国防航天、工业、网络通信及医疗等关键行业。
根据存储器市场研究机构分析，此次扩产实为美光内部产能的战略调整，旨在将 Fab 6 的生产重心转向高价值的 LPDDR4（以该品类为主）和 DDR4，并非为了重新扩大面向普通消费者的 DDR4 供应。
预计该工厂的整体投片量将在 2027 年第四季度达到 2026 年第二季度的 1.5 倍。其中，1α nm 制程产品将于 2026 年底实现量产，并在 2027 年将产量规模扩大至四倍。与此同时，美光旗下的 OMT 工厂将逐步减少 1α nm 产品的产量，且整体上没有增加 DDR4 与 LPDDR4 总产能的计划。