英诺赛科GaN产品获美国ITC终裁认定不侵权，可正常出口美国

2026-05-08 10:58 星期五

2026年5月8日，美国国际贸易委员会（ITC）就337调查案（编号1414）作出最终裁定：珠海英诺赛科目前在售的氮化镓（GaN）功率器件不侵犯英飞凌的两项美国专利（US9070755和US9899481），可自由进口并销售至美国市场。
裁定指出，英诺赛科现有产品的电极结构和封装设计均未落入涉案专利保护范围；此前曾涉及其中一项专利的两款旧型号产品，因早已停产停售，本次裁决对其当前业务无任何影响。公司表示，将一如既往保障全球客户的稳定供货。

AI解读

1、该裁决扫清了国产GaN功率器件出口美国的知识产权障碍，利好具备快充、储能、AI服务器电源等高附加值电子配件供应链能力的跨境卖家；将加速中国第三代半导体方案在Amazon、eBay及独立站3C类目中的渗透，带动高毛利小体积电源适配器、PD快充模块等选品需求上升。

2、建议3C类卖家立即评估英诺赛科认证合作型号（如INN650D02、INN100W系列），将其集成至自有品牌快充套装/多口氮化镓插线板中，同步优化亚马逊Listing技术参数关键词；备货周期可缩短至4–6周，并优先布局FBA小型仓以匹配旺季小包履约时效。

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