三星电子首席技术官表示，受人工智能发展带动，全球对内存芯片的需求将持续旺盛，不仅贯穿今年，还将延续至明年。目前，三星自主研发的HBM4高带宽内存芯片已实现稳定量产，良率良好，性能获得主要客户高度认可。公司计划于本月内启动HBM4的大规模出货。该芯片采用三星第六代10纳米级（1c）工艺制造DRAM核心，基板则使用4纳米工艺；综合两项技术，HBM4的数据传输速率可达每秒11.7Gbps，显著高于行业标准的8Gbps。