1月17日，中核集团中国原子能科学研究院宣布，我国首台自主研制的串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心性能达到国际先进水平。这标志着我国已完全掌握该设备从设计、制造到调试的全链条技术能力。
氢离子注入机是芯片制造四大关键设备之一，与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备同等重要，广泛应用于功率半导体等高端器件的生产。此次突破填补了国内在该领域的空白，显著提升了我国在功率半导体装备方面的自主保障能力，对保障产业链安全、支撑“双碳”目标实现和培育新质生产力具有重要意义。