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三星和SK海力士将于2025年2月起正式量产新一代高带宽内存HBM4
2025-12-26 07:19 星期五
三星电子和SK海力士将于2026年2月在韩国平泽园区和M16工厂同步量产HBM4高带宽内存,该产品将搭载于英伟达下一代AI芯片“Rubin”。SK海力士已于2025年3月向英伟达交付HBM4样品,并在9月完成量产准备。
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2025-12-26 07:19 星期五
三星和SK海力士将于2025年2月起正式量产新一代高带宽内存HBM4
三星电子和SK海力士将于2026年2月在韩国平泽园区和M16工厂同步量产HBM4高带宽内存,该产品将搭载于英伟达下一代AI芯片“Rubin”。SK海力士已于2025年3月向英伟达交付HBM4样品,并在9月完成量产准备。
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