2026全球闪存峰会（FMW）

时间： 2026-08-26 周三 08:00 ~ 17:00

地点：

武汉市

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主办：

百易（DOIT）

票种：

数量：

活动介绍

会议名称：2026 全球闪存峰会（Flash Memory World 2026）
会议时间：2026 年 8 月 26 日（全天）
会议地点：武汉光谷皇冠假日酒店
主办单位：DOIT传媒、华中科技大学计算机科学与技术学院、华中科技大学集成电路学院
支持单位: 武汉光电国家研究中心、光谷集成电路创新平台联盟、湖北省电子商务行业协会

峰会议题：聚焦3D NAND、SSD、存储系统、AI 存储架构、车规 / 工业存储等话题，覆盖介质、设计、制造、系统、应用全产业链，连接产学研用，汇聚产业头部企业、行业专家及用户代表等核心人群。

大会背景

作为全球闪存存储行业的应用与生态大会，聚焦AI时代下的数据基础设施变革，从存储架构演进到企业数据战略重塑，深入探讨数据与AI融合发展的新趋势与新机遇。

主论坛围绕AI时代闪存产业生态重构与技术演进展开，开篇聚焦全球闪存产业格局变迁，深度解析介质厂、存储系统厂商、终端用户间的产业关系重塑，特邀行业专家共同探索2026 年闪存产业发展趋势。同时，峰会全面聚焦AI 原生闪存系统构建、底层技术突破与行业落地实践，围绕大模型训练与推理场景下的存储架构革新、3D NAND 与 QLC 等介质升级、CXL 等协议演进展开技术分享，并展示核心领域闪存应用案例，为企业搭建从技术创新到规模化落地的参考路径。

下午设置五场专题论坛：

分论坛一：存算一体化技术与应用论坛

聚焦闪存基存算一体架构、3D NAND 存算协同优化、端侧 / 云端存算一体落地方案、芯片架构迭代、软硬件全栈适配调优等核心议题展开探讨，邀请存储原厂、芯片厂商、AI算力企业，分享工程化落地案例与量产路线，探讨算存融合如何突破传统冯·诺依曼架构的性能瓶颈。

分论坛二：闪存介质与SSD创新论坛

围绕3D NAND堆叠层数提升、Xtacking架构迭代、新型介质等关键方向，邀请国内外企业及产业链技术专家，深入探讨闪存密度提升、性能释放、功耗控制与成本下探之间的平衡路径。同时，论坛也将结合AI新推等应用场景，分享新一代企业级SSD新品与趋势，呈现闪存产业从介质创新到系统应用的升级趋势。

分论坛三：面向AI的存储系统创新与实践论坛

聚焦大模型训练与推理对存储系统的全新挑战，围绕高性能并行文件系统、GPU 加速存储、KV Cache卸载等方向展开研讨，邀请模型开发商、AI算力企业、存储系统厂商及云厂商技术专家，共话从数据流水线到存储架构的端到端优化。

分论坛四：CXL互联生态与弹性内存池技术论坛

聚焦大模型训练、长文本推理、海量KV缓存爆发带来的AI“内存墙”核心行业痛点，围绕CXL高速互连技术、存算解耦架构、弹性内存池商业化落地展开深度研讨。

分论坛五：新型存储介质论坛

日程安排：

主论坛（全天）：

08:00-09:00 来宾签到

09:00-09:10 开幕式、《2026 存储芯图》发布

09:10-15:00 主题演讲、闪存风云榜发布

并行论坛（五场）

15:30-17:10 各论坛主题演讲

光谷之夜

18:00-20:00 晚宴（闭门）

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