2026年2月第一周中国半导体行业新闻汇总

北京奕斯伟计算技术股份有限公司再次向港交所递交招股说明书，拟登陆香港主板，联席保荐人为中信建投国际与中信证券。公司由京东方前董事长王东升于2019年牵头创立，聚焦智能终端与具身智能两大场景，以RISC-V架构构建软硬件平台，是国内最大的RISC-V全定制解决方案提供商——按2024年产品销量计，其为中国最大的RISC-V主控量产芯片供应商；按同期收入计，在国内RISC-V主控解决方案领域排名第四，市场份额1%。

财务数据显示，2022-2024年奕斯伟营收分别为20亿元、17.52亿元、20.25亿元，同期净亏损分别为15.7亿元、18.37亿元、15.47亿元，三年累计亏损近50亿元；研发投入占比持续高位，2022-2024年分别达72%、82.5%、66%。值得注意的是，公司收入存在高度集中风险，2022-2024年来自最大单一客户的收入占比均超75%，不过其表示与核心客户合作稳固，替代转换成本较高。本次募资拟用于技术研发、生态建设及潜在战略并购，股东阵容包含国家集成电路产业投资基金二期、君联资本等机构。  

据韩媒报道，全球存储巨头三星电子与SK海力士终于敲定“最尖端”NAND扩产方案，计划2026年第二季度启动“转换投资”，以应对AI产业带动的存储需求激增。此前两家企业资源长期倾斜DRAM，导致NAND扩产多次推迟，目前市场已出现供应紧张迹象。

具体来看，三星2024年9月已量产280层V9 NAND，但当前月产能仅1.5万片晶圆，且集中于韩国平泽园区；此次扩产将重点转向中国西安X2产线，该产线目前仍以生产6-7代旧款NAND为主，扩产后月产能目标4-5万片晶圆，预计2027年进入量产加速阶段。SK海力士则计划同期推进321层第9代NAND扩产，目标在清州M15产线实现月产能3万片晶圆，较当前2万片的规模提升50%。业内分析认为，两家企业的动作将缓解高端NAND供给压力，尤其利好AI数据中心存储需求。  

北京清微智能科技有限公司已完成工商变更，正式更名为“北京清微智能科技股份有限公司”，标志着其IPO筹备进入关键阶段——股改是优化资本结构、推进上市的核心步骤。官网显示，清微智能是国内可重构计算（CGRA）领域龙头，核心团队来自清华大学、海思、英伟达等机构，主打可重构计算芯片（RPU），已形成“云—边—端”完整产品矩阵。

目前公司已量产TX5、TX8两大系列十多款智能计算芯片，适配智算中心、自动驾驶、智能安防等场景；2025年12月刚完成超20亿元C轮融资，由北京市属国企京能集团领投，北创投、商汤国香资本等跟投，募资将用于下一代芯片研发、智算落地及人才引进。此外，清微智能近期还与北京智源研究院共建联合实验室，并成为“FlagOS卓越适配单位”，与寒武纪、摩尔线程等企业协同推进生态建设，目标成为国内“非GPU”架构AI芯片首个上市标杆。  

国内IC设计龙头瑞芯微、全志科技同步披露22nm工艺进展，标志着国内SoC（系统级芯片）技术从“中低端”向“高端”跨越取得实质性突破，逐步缩小与国际先进水平的差距。

其中，瑞芯微的22nm工艺SoC已成功应用于智能家居中控设备，集成CPU、GPU与无线通信模块，功耗较上一代产品降低25%，2026年第一季度订单量同比增长30%；全志科技的22nm SoC则聚焦工业物联网传感器领域，凭借低功耗、高可靠性优势，已获得多个工业客户批量订单。此外，兆易创新、汇顶科技等企业也在推进22nm及以下工艺研发，重点突破高端IC设计瓶颈——例如兆易创新将22nm工艺与存储芯片结合，开发“存储+计算”一体化产品，进一步丰富国产高端IC供给。  

全球头部内存接口芯片企业澜起科技已确定港股发行价，拟以每股106.89港元的最高定价发售6589万股股份，预计募资规模达70.43亿港元（约合62.69亿元人民币）。市场反馈显示，本次发行获得投资者踊跃认购，主权财富基金与多头投资者认购意向超发行规模数倍，股票计划于2月9日在香港联交所正式挂牌交易。

公开资料显示，澜起科技此前已在上交所上市，核心产品包括内存接口芯片、PCIe芯片及津逮服务器平台，在全球内存接口芯片市场占据重要地位。本次港股上市募资将进一步用于先进芯片研发及全球化布局，尤其聚焦AI时代内存接口技术升级，以应对更高带宽、更低延迟的存储需求。  

2月3日，国内半导体热管理领域传来突破消息：随着AI芯片功耗飙升（部分突破700W），液冷已成为AI服务器散热“标配”，高澜股份、中科曙光凭借技术优势抢占市场先机，带动国内液冷产业链协同发展。

高澜股份推出的浸没式液冷系统已应用于阿里云张北数据中心，散热效率较传统风冷提升40%，可直接适配700W及以上高功耗AI芯片；中科曙光的液冷服务器市占率达国内第一（32%），2026年第一季度订单量同比增长120%，重点配套国内大型数据中心建设。资本市场反应积极，2月6日热管理板块异动，高澜股份股价上涨5.2%，中科曙光上涨3.8%。民生证券研报指出，2026年国内AI服务器液冷渗透率将从2025年的25%提升至45%，相关企业营收增速有望超50%。  

2月4日晚，科创板上市企业沐曦股份发布《关于募投项目实施周期及使用部分闲置募集资金进行阶段性现金管理的公告》，明确其首次公开发行募集的38.99亿元净额将分3-4年投入募投项目，期间不超过29亿元的闲置资金将用于阶段性现金管理，以提升资金使用效率。

公告显示，闲置资金将投向安全性高、流动性好、满足保本要求且期限不超过12个月的现金管理产品，可根据募投项目需求随时赎回，不影响项目正常推进。沐曦股份2025年12月17日登陆科创板，募投项目包括“新型高性能通用GPU研发及产业化”“新一代人工智能推理GPU研发及产业化”等，其中C600、C700两款GPU产品研发分别计划投入8.41亿元、16.18亿元，聚焦AI训练与推理场景。  

国内功率半导体行业迎来需求爆发：下游新能源汽车、储能及AI服务器电源模块需求持续攀升，核心器件供给紧平衡，士兰微、斯达半导等国产厂商凭借本土化优势抢占市场份额，订单与产能均处于高位。

具体来看，士兰微12英寸IGBT产线连续多月满产，产能利用率稳定100%，核心产品适配国内头部新能源车企电控系统；斯达半导的车载IGBT模块订单排期已至2026年第三季度，重点配套比亚迪、蔚来等车企；新洁能则透露，旗下功率MOSFET产品毛利率将随需求提升进一步修复。中信建投证券研报指出，2026年国产功率器件市场渗透率有望突破35%，较2025年提升5个百分点，头部厂商将持续受益于国产替代浪潮。  

长江存储武汉三期项目正紧锣密鼓推进设备安装，作为国内存储芯片领域千亿级扩产项目，其并非简单复制产能，而是聚焦高端3D NAND研发与生产，投产后将大幅提升国产存储全球竞争力。

该项目位于武汉新洲，投产后产能将达一二期总和的2倍，重点生产高密度、高速度的数据中心级3D NAND产品，适配AI数据中心、高端服务器需求。行业研报显示，2025年长江存储在全球NAND闪存市场份额已达7%-8%；随着三期产能释放，2026年份额有望突破10%，甚至冲击15%，有望超越美光跻身全球前四。这一进展标志着国产存储芯片从“跟跑”向“并跑”“领跑”跨越，进一步完善国内半导体存储产业链。  

国内AI-PCB（印制电路板）企业已进入“满产满销”状态，深南电路、沪电股份等龙头订单排期至2026年第三季度，核心驱动是AI服务器主板需求激增——每台AI服务器PCB用量约8000平方厘米，是普通服务器的4倍。

产业链传导效应下，覆铜板（PCB核心原材料）需求同步爆发：国内覆铜板龙头生益科技2026年第一季度产能利用率达98%，高频高速覆铜板产品价格环比上涨5%，重点适配AI服务器、高端通信设备；华正新材透露，AI用覆铜板订单占比从2025年的15%提升至2026年的30%，产能持续紧张。国金证券分析指出，海外覆铜板厂商扩产周期长达2-3年，国内厂商凭借“技术突破+产能弹性”，2026年全球市占率有望突破40%，覆铜板涨价趋势或持续至第四季度。  

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