光刻胶：国产化正当时，龙头公司放量在即

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1 光刻胶

1.1 光刻胶概况

光刻胶又称光致抗蚀剂，是光刻工艺的核心化学品，通过光化学反应将掩模版上的微细图形转移到基片上，广泛应用于集成电路、面板、分立器件等微细加工领域，也用于LED、光伏、磁头及精密传感器制造，属于微电子制造中的关键材料。主要成分为树脂（约占50%）、单体（约35%）、光引发剂和助剂。

自1959年发明以来，光刻胶逐步应用于半导体、印制电路板（PCB）和平板显示等领域。在微电子制造从微米级向纳米级演进过程中，光刻技术经历了紫外全谱（300～450nm）、G线（436nm）、I线（365nm）、深紫外（DUV，248nm和193nm）到极紫外（EUV）六个阶段，对应不同波长的光刻胶随之发展，其树脂、光引发剂等配方持续优化以满足工艺需求。

目前主流光刻胶包括：

• g/i线光刻胶：分别对应436nm和365nm光源，用于0.5μm及以上和0.5–0.35μm制程，以正胶为主，主要成分为酚醛树脂与重氮萘醌化合物，为当前用量最大的光刻胶类型。
• KrF光刻胶：对应248nm光源，适用于0.25–0.15μm制程，采用聚对羟基苯乙烯及其衍生物与光致产酸剂，市场持续扩张。
• ArF光刻胶：对应193nm光源，干法用于65–130nm，浸没式可支持45nm以下制程，使用脂环族丙烯酸酯共聚物与光致产酸剂，属正胶，未来成长空间广阔。

1.2 光刻胶主要用于图形化工艺

在半导体制造中，光刻胶是图形化工艺的关键材料。该工艺旨在将设计图案从掩模版转移至晶圆表面，主要包括光刻与刻蚀两大步骤，实现“掩模版→光刻胶→晶圆”的两次图形转移。典型流程包括：表面准备、涂胶、软烘焙、对准曝光、显影、硬烘焙、显影检查、刻蚀、去胶和最终检查。

具体过程为：清洗晶圆后旋涂光刻胶并烘干；通过光刻机将掩模版图案投影至光刻胶完成曝光；经显影与烘焙后形成图形；在光刻胶保护下进行等离子体干法刻蚀（常用含氟、氯气体），随后剥离光刻胶并检测，完成图形转移。

现代半导体制造通常需经历40道以上独立光刻步骤，贯穿整个生产流程，决定工艺先进性。光刻机为其中核心设备，如ASML NXE3400B售价超一亿欧元，接近F35战斗机水平。

1.3 光刻胶分类

按显影效果可分为：

• 负性光刻胶：未曝光部分溶于显影液，图形与掩膜版相反。
• 正性光刻胶：曝光部分溶于显影液，图形与掩膜版相同。

按应用领域划分，主要类型包括半导体光刻胶、LCD光刻胶、PCB光刻胶及其他专用光刻胶。

2 光刻胶市场空间

2.1 光刻胶需求不断增长

受半导体、LCD、PCB等下游产业拉动，全球光刻胶市场持续扩张。2018年市场规模达85亿美元，2014–2018年复合增速约5%，预计未来仍将维持相似增速。按应用划分：半导体光刻胶占24.1%，LCD光刻胶占26.6%，PCB光刻胶占24.5%，其他类占比24.8%。

随着全球电子产业链向中国大陆转移，国内光刻胶需求迅速增长。2011–2017年，国内需求量复合增速达14.69%，2017年达7.99万吨；市场规模复合增速11.59%，达58.7亿元。同期产量达7.56万吨，本土产量4.41万吨，复合增速分别为15.83%和11.87%。

当前国内光刻胶产能集中于PCB领域，高技术壁垒的LCD与半导体光刻胶仍高度依赖进口。

2.2 光刻胶竞争格局

光刻胶行业技术壁垒高，需与光刻设备协同研发，呈现寡头垄断格局。全球前五大企业（日本合成橡胶、东京应化、罗门哈斯、日本信越、富士电子材料）合计占据87%市场份额。

国内PCB光刻胶已相对成熟，代表企业有广信材料、容大感光等。但在LCD和半导体光刻胶领域，与国际领先水平仍有较大差距。

3 光刻胶分类

3.1 半导体光刻胶

2012–2018年全球半导体市场复合增速8.23%，中国大陆同期集成电路销售额从2158亿元增至6531亿元，复合增速达20.27%，成为全球半导体产业转移的主要承接地。

2018年全球半导体材料市场规模达519.4亿美元，同比增长10.68%。其中晶圆制造材料322亿美元（+15.83%），封装材料197.4亿美元（+3.30%）。在制造材料中，大硅片占比最高（33%），光刻胶占6%，光刻胶配套占7%。

2018年全球半导体光刻胶市场规模为20.29亿美元，同比增长15.83%。中国市场占比最高，达32%；美洲占21%；亚太地区占20%；欧洲与日本各约9%。

按产品类型，ArF/浸没式光刻胶市场份额最高（41%），g/i线占24%，KrF占22%。ArF光刻胶主要用于先进IC制程，在EUV普及前仍将是主流。随着多重曝光技术应用增加，其需求将持续上升。i线光刻胶受益于功率半导体、传感器等市场增长，而KrF则因更高精度需求逐步替代i线，市场需求稳步提升。

全球主要供应商仍为日美企业，包括东京应化、JSR、信越化学、罗门哈斯、富士电子材料等。国内企业主要有晶瑞股份（苏州瑞红）、北京科华、南大光电等。

• 苏州瑞红：1993年投产，承担国家“02专项”i线光刻胶项目，已实现i线量产，KrF处于研发阶段。
• 北京科华：i线已量产，KrF光刻胶批量供应中芯国际，ArF干法进入客户认证阶段。
• 南大光电：2017年启动“193nm光刻胶项目”，获“02专项”支持，规划建设25吨KrF光刻胶产能，预计三年内达产。

3.2 LCD 光刻胶

全球平板显示市场稳步增长，IHS数据显示，2019年TFT-LCD与OLED总产能约3.34亿平方米，预计2023年达3.75亿平方米，其中TFT-LCD约3.09亿平方米，需求稳定提升。

全球LCD产业历经“美国研发—日本发展—韩国超越—台湾崛起—大陆发力”的转移过程。中国大陆自2009年起加速布局，京东方等企业推动产能快速扩张。2018年大陆LCD产能占全球39%，预计2023年将达55%。

面板产能向中国大陆集中，带动LCD光刻胶需求快速增长。CINNO Research预测，2022年大陆TFT Array正性光刻胶需求达1.8万吨，彩色光刻胶1.9万吨，黑色光刻胶4100吨，总产值约15.6亿美元。

LCD光刻胶主要包括彩色/黑色光刻胶（用于彩色滤光片）、TFT Array正性光刻胶和触控屏用光刻胶。我国起步较晚，整体处于初级发展阶段，高端产品仍严重依赖进口。

彩色与黑色光刻胶：用于彩色滤光片制造，占其成本约27%。黑色矩阵（BM）由黑色光刻胶构成，防止漏光；颜色层由三原色光刻胶经多次涂布、曝光、显影形成。核心技术集中在高分子颜料合成，被JSR、住友化学、LG化学（彩色）、东京应化、新日铁化学（黑色）等日韩企业垄断，合计占全球90%以上份额。

TFT Array 正性光刻胶：用于TFT-LCD的Array制程，主导图形转移，具备高解析度、热稳定性好、易剥离等优势。随着FFS、IPS、LTPS等高端技术普及，对光刻胶性能要求不断提升。主要供应商为东京应化、罗门哈斯、AZ Electronic Materials、DONGJIN SEMICHEM和永光化学。

国内企业正加快布局：

• 博砚电子：自2014年与北化合作研发黑色光刻胶，已建成1000吨/年产能，打破国外垄断。
• 北旭电子：京东方全资子公司，计划投资5亿元在葛店建设TFT-LCD光刻胶、半导体光刻胶、PI液等产线。

4 相关上市公司

4.1 雅克科技

公司于2020年收购LG化学彩色光刻胶事业部资产，并参股江苏科特美新材料（运营韩国Cotem公司），切入TFT-PR光刻胶及配套材料领域。此次布局使其掌握彩色光刻胶与TFT-PR光刻胶核心技术，并成为LG Display长期供应商，跻身全球主要面板光刻胶供应商行列。

作为国内半导体新材料龙头企业，雅克科技产品覆盖前驱体材料、电子特气、绝缘材料、球形硅微粉及液体化学品输送设备等领域。收购光刻胶业务后，进一步完善电子材料平台布局，强化协同发展能力。

4.2 晶瑞股份

子公司苏州瑞红深耕光刻胶多年，率先实现i线光刻胶量产，分辨率可达0.35μm，是国内i线光刻胶领军企业。未来重点推进248nm（KrF）光刻胶研发与产业化。

公司在半导体湿化学品领域亦具领先地位，双氧水纯度达10ppt级（G5标准），已供货华虹宏力等厂商；硝酸、氢氟酸等产品达G4等级。通过收购阳恒化工并引入三菱化学技术，新建9万吨/年电子级硫酸项目，拓展成长空间。

此外，公司水性SBR负极粘结剂客户涵盖比亚迪、宁德时代等，受益新能源汽车发展。拟收购载元派尔森100%股权，布局NMP/GBL等锂电池关键溶剂，强化产业链协同。

4.3 飞凯材料

子公司和成显示是国内高端TFT及中端TN/STN液晶材料重要供应商，客户包括京东方、华星光电、中电熊猫等，受益于面板产业向大陆转移。

公司积极推进TFT光刻胶项目，截至2019年上半年累计投入5407万元，工程进度达93.22%，正加快市场开拓，培育新的利润增长点。

在半导体领域，先后收购长兴昆电（环氧塑封料）和大瑞科技（焊锡球），切入封装材料环节，客户覆盖日月光、安靠等国际大厂。公司围绕“显示材料+半导体”双主线，已形成液晶混晶、封装材料、电镀液等多品类布局，平台型特征初现，未来整合潜力大。