集成弥勒钳位功能的高可靠性单通道隔离驱动器--纳芯微NSi6601M

随着第三代半导体SiC MOSFET的兴起，更高压、更高频、更小体积、更大功率的系统正成为新的发展趋势。然而在高压高频的应用中系统在运行过程中却总是容易因为dv/dt过高，导致功率管子被烧坏。NSi6601M则能很好解决这一问题。

使用下图的电路作为例子说明。系统在开关的过程中，SW产生的dv/dt 通过弥勒电容Cgd，会导致gate产生电压，如果这个电压高于管子的开通电压，会导致管子误开通，会造成上下管短路，烧毁管子。

集成弥勒钳位功能，NSi6601M可以检测到gate电压的变化，当gate产生的电压高压2V时，NSi6601M内部弥勒钳位功能将被开启，将dv/dt 通过Cgd产生的电流以最小阻抗路径释放到VEE，在gate电压钳位到足够低的电压，防止下管Q2误开通。

简化应用电路图

NSi6601M隔离耐压高，宽体SOW8封装Vpk 高达2121V，同时CMTI抗干扰能力超过150kv/us，非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。