一、公司概览
1.1 公司地位
天岳先进作为国内第三代半导体碳化硅半导体材料的龙头企业，在全球碳化硅衬底市场中占据重要地位。据日本权威行业调研机构富士经济报告，其导电型碳化硅衬底材料市场占有率在2023年跃居全球第二，半绝缘型碳化硅衬底的市场占有率连续多年位居世界前三。公司已实现核心战略材料的自主可控，成为全球少数几家可批量供应高品质碳化硅衬底产品的企业，有力保障全球功率半导体行业的发展，确保我国宽禁带半导体产业链的平稳发展。
1.2 投资亮点
技术研发方面，天岳先进深耕碳化硅衬底制备领域十几年，自主攻克了碳化硅晶体生长、衬底加工等一系列国际难题，掌握碳化硅衬底材料产业化核心关键技术。例如，公司在液相法制备8英寸产品上具备先发优势，成功推出采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底，为相关器件的高性能运作提供坚实基础。
产能扩张上，2023年5月上海工厂启用，为客户长期订单交付提供有力保障，且目前仍处于产能提升阶段。2024年上半年，上海临港工厂30万片产能提前达产，远期96万片产能规划开始实施，订单交付能力不断增强。
市场拓展成效显著，公司产品已进入国际一线大厂的供应链，全球前十大功率半导体企业超过一半已成为公司客户，与英飞凌、博世等国际知名企业开展合作，车规级高品质产品在国际市场具有竞争力，在手订单超过20亿元，市场份额有望进一步扩大，营收和盈利能力具备长期稳定增长潜力，为投资者带来诸多投资机会。
1.3 风险提示
产品降本方面，全球6英寸SiC衬底产能快速释放，新能源汽车需求阶段性放缓，SiC衬底价格短期承受较大下行压力。若公司不能通过技术升级、规模效应等方式实现成本优化，产品毛利率与盈利能力将受影响。
行业竞争层面，碳化硅衬底行业发展前景广阔，吸引众多企业入局，市场竞争加剧。国内外竞争对手在技术、产能、价格等方面的竞争，可能使公司面临客户流失、市场份额下滑风险。
研发进度上，碳化硅衬底制备技术仍在不断发展，若公司在8英寸产品验证、新技术研发等关键环节进展不及预期，将在市场竞争中处于劣势，影响未来发展。
政策变动风险，半导体行业受国家产业政策影响较大，若政策支持力度减弱、补贴政策变化或进出口政策调整，可能对公司原材料采购、产品销售、研发投入等经营活动产生不利。
客户/供应商集中度较高，公司前五大客户、供应商集中度相对较高，若主要客户需求大幅减少、经营状况恶化或主要供应商供货中断、价格大幅波动，将对公司生产经营、业绩产生冲击。
地缘政治风险，半导体产业全球化分工明显，国际贸易摩擦、地缘政治紧张局势可能导致原材料供应受阻、海外市场拓展受限、技术交流合作受阻等问题。
股东计划减持风险，公司股东的减持计划可能对股价产生短期波动影响，若减持规模较大、市场预期悲观，会干扰公司股价表现，给投资者带来不确定性。
二、公司信息
2.1 基本信息
天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年11月2日，总部位于山东省济南市槐荫区天岳南路99号，2022年1月12日在上交所科创板上市（证券代码：688234）。公司创始人及董事长为宗艳民，是一家专注于碳化硅单晶衬底材料研发、生产和销售的科技型上市公司。
公司控股股东、实际控制人为宗艳民，截至2023年末，直接持有公司30.0906%的股份，合计控制公司38.4760%股份。前十大股东中还包括华为旗下的哈勃投资、山东铁路发展基金、中微半导体等。公司注册资本为42971.1044万人民币，实缴资本同样为42971.1044万人民币，公司类型是其他股份有限公司（上市），经营范围涵盖碳化硅晶体衬底材料的生产；功能材料及其元器件、电子半导体材料的研发、销售及技术咨询、技术服务、技术转让等。
2.2 发展历程
2010年公司创立，2011年底，天岳先进与山东大学签约，重金购买相关技术，开启碳化硅半导体材料的产业化征程。
2013年9月29日至10月5日，参加在日本宫崎举行的国际碳化硅半导体会议，开始在国际舞台崭露头角。同年12月22日，当选中国宽禁带功率半导体产业联盟首届理事会理事长单位，行业地位初显。
2015年，完成4英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底技术的开发并实现产业化；2016年12月13日，“碳化硅晶体制备关键技术专利群”入选山东首批关键核心技术知识产权；2017年，6英寸导电型衬底产品鉴定验收，技术成果不断落地。
2018年11月，天岳先进碳化硅材料项目在浏阳高新区开工，迈出产能扩张步伐；2019年8月，引入华为旗下哈勃投资，资本助力发展；2020年，连续进行3轮融资，年底估值达百亿，吸引大量资本涌入。
2021年8月18日，募投“碳化硅半导体材料项目”在上海临港正式开工建设，为后续发展筑牢根基；2022年1月12日成功上市，登陆上交所科创板，同年5月，成立“先进研究院”，强化研发力量。
2023年是公司发展的重要节点，与博世集团、英飞凌集团等国际企业签署新的长期合作协议，国际市场进一步打开；同年6月29日，携8英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相Semicon China展会，展示技术实力；2024年2月，天岳先进成份股被纳入MSCI中国A股在岸指数，国际影响力提升，同月18日，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行榜发布，跃居全球第二，半绝缘型碳化硅衬底的市场占有率连续多年位居世界前三，成为全球碳化硅衬底领域的重要力量。
三、行业背景
3.1 碳化硅行业现状
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和速率高、临界击穿电场强度大等优异物理特性，能够突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有广泛应用前景。
全球碳化硅市场规模呈增长态势，据Yole数据，2022年全球碳化硅行业市场规模约为16.04亿美元，2023年全球导电型和半绝缘型碳化硅衬底的市场规模分别达到6.84亿美元和2.81亿美元，预计2024年全球导电型、半绝缘型碳化硅衬底市场规模将分别达到9.07亿美元和3.26亿美元。
从产业链角度看，碳化硅产业链上游为衬底和外延环节，中游为器件和模块制造环节，下游应用广泛。其中衬底是碳化硅产业链的核心环节，其成本占碳化硅器件总成本的47%，技术壁垒高，对下游器件性能起着关键作用。当前碳化硅衬底的尺寸主要有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸等规格，正不断向大尺寸方向发展，不过目前行业内企业主要量产产品尺寸集中在4英寸及6英寸，8英寸仍处于研发阶段。
在供需格局方面，随着新能源汽车、光伏等行业快速发展，对碳化硅的需求日益增长。然而，碳化硅衬底材料制备具有极高技术门槛，全球能够规模化供应高品质、车规级碳化硅衬底的企业数量较少，在一定程度上限制了供给。特别是在新能源汽车领域，碳化硅功率器件能够有效提升汽车性能、降低能耗，其装车量不断增加，进一步加剧了对碳化硅衬底的需求，推动行业发展。
中国碳化硅行业市场规模也呈现快速上涨态势，2022年中国碳化硅市场规模约为43.45亿元。国内企业在碳化硅领域积极布局，产能持续扩张，据统计，2022年中国SiC衬底产能达到94万片/年（折合6英寸），相较于2021年增加30.6%；外延产能达到84万片/年（折合6英寸），相较于2021年增加58.5%；芯片/器件产能达到96万片/年，相较于2021年增加62.7%。结合部分企业2023年年报情况及CASA盟披露的数据，初步统计2023年碳化硅衬底、外延和芯片/器件产能分别为120万片/年、115万片/年和144万片/年。
3.2 行业竞争格局
在碳化硅衬底领域，全球竞争格局呈现寡头垄断态势。美国Wolfspeed是行业龙头，凭借深厚技术积累和先发优势，在全球市场占据较大份额，其6英寸半绝缘型碳化硅衬底量产时间早于天岳先进15年，2020年市场占有率达45%。美国Coherent（原名II-VI）同样实力强劲，在研发与产业化方面领先多年，此前长期位居全球第二。日本Rohm（收购德国SICrystal）通过并购整合资源，在市场上也具有较强竞争力。
中国企业奋力追赶，天岳先进、天科合达等为行业龙头企业。天岳先进在半绝缘型碳化硅衬底领域，市场占有率连续多年位居世界前三，2023年在全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率更是超过Coherent，跃居全球第二；天科合达也在不断发展，2023年与英飞凌签订长期6英寸碳化硅材料供货协议，其碳化硅晶片二期扩产项目封顶，预计2024年6月竣工，全部达产后年产碳化硅衬底16万片。
与国际竞争对手相比，天岳先进的优势在于对国内市场需求的深刻理解以及成本控制能力，能够快速响应国内客户需求，依托国内完整产业链配套降低生产成本。并且公司在特定技术领域如液相法制备8英寸产品上具备先发优势，已推出采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。然而，在整体技术积累、品牌国际影响力方面，与Wolfspeed等老牌国际企业仍存在差距，国际客户开拓初期难度较大，技术研发资金投入规模相较于国际巨头仍需进一步提升。
四、主营业务
4.1 产品体系
天岳先进的核心产品为碳化硅衬底，涵盖导电型和半绝缘型碳化硅衬底，满足不同领域需求。
导电型碳化硅衬底主要应用于电力电子领域，为新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等行业提供关键基础材料。在新能源汽车方面，能使汽车的功率转换效率提升、能耗降低，助力实现快充功能，以满足日益增长的高性能电动汽车需求。公司已可批量供应6英寸和8英寸导电型产品，其4H导电型SiC单晶衬底，直径有150mm（6英寸）和200mm（8英寸）规格，偏角为4°，厚度350μm或500μm，表面达到Epi-ready状态，方便后续外延层生长制备功率器件。
半绝缘型碳化硅衬底主要用于制备微波射频器件，广泛应用于5G通信基站、卫星通信等场景。基于该衬底制备的射频器件相比硅基器件，具有更高工作频率和功率密度，能满足通信技术高频、高速发展需求。例如在5G基站建设中，其可有效提升信号传输质量与覆盖范围，助力5G网络高效运行。
从制备工艺看，碳化硅衬底制备属于技术密集型过程。以物理气相传输法（PVT法）为例，首先将高纯硅粉和高纯碳粉按工艺配方均匀混合，在2000℃以上高温反应腔室内合成高纯度碳化硅粉原料；接着在生长腔室顶部放置碳化硅籽晶，在特定温场下，输运至籽晶处的气相组分在过饱和度驱动下原子沉积，生长为碳化硅单晶；后续经过晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等多道工序，产出碳化硅衬底。整个过程涉及材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等多学科交叉知识，对工艺控制要求极高，微小环境变化都可能影响衬底品质。
4.2 研发创新
研发投入方面，天岳先进持续加大投入力度，2023年研发投入1.37亿元，同比增长7.57%，占营业收入比例较高，为技术创新提供坚实资金保障。
人才团队上，公司汇聚了一批来自材料、物理、化学、机械等多领域专业人才，组建了经验丰富、技术精湛的研发团队，团队成员涵盖晶体生长、衬底加工、器件应用等各个环节专家，能够全方位推动技术研发。
专利成果显著，截至2024年，公司拥有多项发明专利与实用新型专利，如“一种高均匀性的碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件”等专利，为产品技术先进性与稳定性保驾护航，在晶体生长控制、缺陷降低、衬底均匀性提升等关键技术上形成自主知识产权体系。
在研项目聚焦行业前沿与市场需求，重点推进8英寸碳化硅衬底制备技术提升项目。一方面持续优化8英寸衬底生长工艺，提高晶体质量，降低缺陷密度，已成功推出采用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底；另一方面加快工程化研发试验，依据客户需求合理规划产能提升，确保8英寸产品从研发到量产顺利过渡，为未来市场竞争储备核心技术。
五、经营模式
5.1 研发模式
公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作。首先是需求提交与论证环节，公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调研及结果分析或者收集的客户需求，清晰准确描述后提交需求申请。比如在新能源汽车对碳化硅衬底需求日益增长、客户对8英寸衬底提出更高质量要求背景下，公司敏锐捕捉这些信息，为后续研发指引方向。
项目立项阶段，研发中心选定项目负责人及成员，负责人编写《项目立项报告》，涵盖项目名称、启动背景、可行性分析、目标、财务预算等内容。以公司8英寸碳化硅衬底制备技术提升项目为例，详细阐述大尺寸衬底市场需求、自身技术储备优势，规划人力、物力、财力投入，确保项目科学启动。
进入项目执行，项目组依据需求编写研发设计方案，细化实验方案与计划，完成实验验证，并根据结果编写各类研发文件，专人保管，同时安排专人全过程管理，跟进各进度节点。在研发4度偏角P型碳化硅衬底时，精确控制晶体生长温场、原料气流速率等参数，实时记录实验数据，保障项目按计划推进。
最后项目验收，项目负责人结合计划与交付情况，判断项目目标完成后发起验收申请，编制《项目验收报告》交研发中心审核。验收后，研发中心评估成果，通过申请专利、技术秘密保护等多种手段保护知识产权，为公司技术领先筑牢壁垒。
5.2 生产模式
公司实行以订单生产（Make To Order）为主的生产模式，采用信息化系统，制定完善的生产过程控制程序，建立快速有效处理客户订单的流程。销售部门依据客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审，下达生产工单给生产部门，生产部门领料生产。质量部全过程品质控制，遵循“不接收、不制造、不流出”不良品原则。
产能布局上，公司积极优化，已形成山东济南、济宁以及上海临港碳化硅半导体材料生产基地。山东基地起步早，积累深厚技术经验与人才储备，为早期市场供应奠定基础；上海临港智慧工厂于2023年5月实现产品交付，凭借先进设备、工艺，成为导电型碳化硅衬底主要生产基地，满足不断增长订单需求；在日本设立研发及销售中心，利用当地半导体产业前沿信息与高端人才优势，一方面开展前沿技术研发，另一方面及时对接海外客户需求，协同国内生产基地，保障全球市场供应及时性与针对性。
5.3 销售模式
公司客户群体广泛，主要包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户，全球前十大功率半导体企业超过一半已成为公司客户，如英飞凌、博世等国际知名企业。公司通过与这些大客户建立长期战略合作关系，深入了解其技术路线与需求变化，确保产品研发、生产精准对接市场。
在订单获取方面，凭借领先技术、稳定产品质量以及良好品牌声誉，公司参与客户招标、项目合作等竞争环节，从众多供应商中脱颖而出。例如在新能源汽车碳化硅衬底采购项目中，公司以优质8英寸导电型衬底产品、高效交付能力赢得客户订单。
销售网络布局上，公司以国内为根基，依托山东、上海等地生产基地辐射全国；同时积极拓展海外市场，借助参加国际半导体展会、行业论坛，如SEMICON Japan等，展示技术实力与产品优势，提升品牌国际知名度，吸引海外客户。在日本设立的研发及销售中心，更是成为公司深耕海外市场的前沿阵地，加强与当地客户沟通交流，快速响应需求，为公司海外业务拓展注入动力。
六、财务分析
6.1 营收情况
天岳先进近五年营收总体呈现增长态势，2019 - 2023年营业收入分别为2.69亿元、4.25亿元、4.94亿元、4.27亿元、12.51亿元。其中2023年营收同比增长199.90%，实现大幅跨越，主要得益于公司导电型产品产能产量持续提升，上海临港智慧工厂于2023年中开启产品交付，为产能放量奠定基础；公司高品质碳化硅衬底获得国内外客户认可，客户群体持续增加，与下游电力电子、汽车电子领域知名企业广泛合作，订单高速增长。
分产品看，早期半绝缘型衬底产品营收占比较高，是公司营收支柱，随着市场对新能源汽车、光伏发电等领域的需求增长，导电型碳化硅衬底产品营收占比逐步提升。2023年，导电型产品在营收增长中贡献突出，源于其在新能源汽车等领域装车量增加，市场需求旺盛，公司加大研发与产能投入，满足市场需求。
从客户结构分析，全球前十大功率半导体企业超过一半已成为公司客户，如英飞凌、博世等国际知名企业，与大客户合作订单量稳定且逐步增长，为营收提供坚实支撑；同时国内市场客户开拓成效显著，与行业内下游环节主要企业协同发展，共同推动国内第三代半导体产业前进，国内客户订单量也不断增加，成为营收增长新动力。
（前五大客户销售占比%）
6.2 利润分析
净利润方面，公司此前受产能建设、研发投入等因素影响，净利润波动较大，2018 - 2020年公司实现归属于母公司股东的净利润分别为 -4213.96万元、 -2.01亿元、 -6.42亿元，2022年上半年净亏损7284万元，2023年得益于营收增长、成本控制与规模效应显现，亏损大幅收窄，2024年上半年归母净利润1.02亿元，实现扭亏为盈。
毛利率上，近五年也有所波动，2018 - 2020年综合毛利率分别为25.57%、37.68%、35.28%，主营业务毛利率分别为8.45%、26.62%、34.94%，2022年上半年主营业务毛利率为5.92%，2023年毛利率上升，2024年上半年毛利率23.01%，同比增加11.71pct。毛利率波动原因在于产品结构调整，如导电型产品扩产初期单位成本高影响毛利率，后期随着产能提升、良品率提高、工艺成熟与成本分摊，毛利率逐步改善；另外客户结构优化，与优质大客户合作增强议价能力，利于毛利率提升。
净利率受毛利率、期间费用等因素影响，前期因研发投入大、产能利用率低等，净利率处于低位甚至负值，随着公司经营改善，2024年上半年净利率达11.16%，盈利能力显著增强，反映公司成本控制与盈利转化能力提升。
6.3 资产负债
资产结构上，公司资产以非流动资产为主，固定资产、在建工程占比较高。固定资产随着产能扩张持续增加，如上海临港工厂建设，大量设备购置安装，为生产筑牢根基；在建工程反映公司持续投入扩产，如2024年临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划稳步推进，保障未来产能提升。流动资产中，货币资金保障运营资金需求，存货随着订单增加合理储备，应收账款受销售模式与客户付款周期影响，需关注回收风险。
负债结构层面，流动负债占比较大，主要包括应付账款、短期借款等，应付账款反映对供应商资金占用，随着采购增加而上升；短期借款在扩产等资金需求大时补充流动性。非流动负债中递延收益与政府补助、项目相关，助力公司发展。资产负债率近年保持在合理区间，2023年三季度为15.98%，偿债能力较强，但在产能扩张加速阶段，需关注负债规模与结构变化，确保资金链稳定。
现金流健康度方面，经营活动现金流早期受产能爬坡、市场开拓等影响，净现金流波动，如2020年经营活动产生的现金流量净额为 -1.22亿元，2023年随着业务成熟、订单交付，经营现金流好转；投资活动现金流持续流出，用于产能建设、研发投入等长期资产购置；筹资活动现金流根据资金需求，通过上市、定增、借款等方式筹集资金，支撑公司发展。整体看，公司需平衡好三大现金流，保障稳健运营与持续扩张。
6.4 财务对比分析
与同行可比公司（如天科合达、三安光电碳化硅业务板块等）相比，天岳先进在营收规模增速上优势明显。2023年天岳先进营收同比增长199.90%，远超部分同行，源于其较早布局8英寸产品且快速实现产业化，抓住新能源汽车领域需求爆发契机，通过与国际大厂深度合作实现订单与营收高增长；而部分同行企业受限于技术突破缓慢、产能扩张滞后，营收增长乏力。
毛利率方面，国际龙头Wolfspeed凭借技术领先与规模效应，毛利率超30%，天岳先进此前因导电型产品扩产成本高、技术成熟度待提升，毛利率处于行业中位水平，2024年上半年随着产能释放、技术优化，毛利率逐步向行业头部靠拢，与国内同行相比，在成本控制与产品品质提升下，竞争力增强，如通过优化生产工艺降低单位能耗、提高原材料利用率，使产品成本降低，毛利率提升。
资产负债率上，相比部分激进扩张同行，天岳先进较为稳健，偿债风险低，能保障持续经营，合理利用财务杠杆支持发展；同行中个别企业因大规模举债扩产，资产负债率超60%，面临较大偿债与资金链断裂风险。综合来看，天岳先进在成长能力、盈利潜力与财务稳健性上，于国内同行中表现突出，逐步缩小与国际龙头差距，财务数据体现其在行业内的竞争优势与发展韧性。
七、未来展望
7.1 发展战略
天岳先进未来将持续聚焦碳化硅衬底主业，深化技术研发与创新，巩固和提升在全球碳化硅衬底市场的领先地位。一方面，公司计划加大8英寸碳化硅衬底的研发投入，优化生产工艺，提高产品良率，进一步降低成本，满足市场对大尺寸、高品质衬底的需求。另一方面，依据市场动态，稳步推进产能扩张，确保产品供应的稳定性与及时性，增强客户粘性。
在市场拓展方面，公司将在巩固现有国际客户合作基础上，继续开拓全球市场，尤其是新兴市场。针对新能源汽车、5G通信等重点应用领域，与下游客户深度协同，定制化开发产品，提供系统解决方案，助力产业发展，逐步提升在全球半导体材料领域的话语权，致力于成为全球碳化硅衬底领域的领军企业。
7.2 行业机遇
随着全球能源转型与科技发展，碳化硅衬底行业面临广阔机遇。新能源汽车领域，为实现更高续航里程、更快充电速度与更高能效转换，碳化硅功率器件装车量持续攀升。据预测，到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超100亿美元，2018 - 2027年复合增速近40%，为碳化硅衬底带来强劲需求。天岳先进作为行业龙头，凭借技术与产能优势，有望深度受益。
5G通信领域，随着5G网络向更高频段、更大带宽发展，对半绝缘型碳化硅衬底制备的微波射频器件需求大增。其能满足5G通信高频、高速、高功率需求，助力基站信号传输与覆盖优化。天岳先进半绝缘型产品技术领先、市场口碑佳，将在5G通信基础设施建设持续推进中迎来订单增长契机。
光伏、储能、智能电网等领域，碳化硅器件能提升系统效率、降低损耗，市场对碳化硅衬底需求稳步增长。天岳先进紧跟行业趋势，优化产品结构、拓展应用场景，有望在多领域实现营收增长，助力全球新能源与半导体产业升级发展。
联系电话：021-54287883
联系地址：上海市杨浦区昆明路518号北美广场A栋505B
