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芯片封装是半导体制造后道工序的关键环节，主要承担芯片保护、电气连接、机械支撑与散热功能，确保芯片稳定运行。通过封装材料隔离外界环境，可有效防止湿气、灰尘、腐蚀及机械冲击，同时优化电气性能、提升信号传输效率，并延长芯片使用寿命。
数据显示，2019年至2023年，中国先进封装市场规模从420亿元增长至790亿元，增幅超85%；中商产业研究院预测，2024年至2029年我国先进封装市场复合年均增速达9%，2029年规模有望达到1340亿元；2025年先进封装渗透率预计将提升至41%。
系统级封装（SiP）
系统级封装（SiP）作为先进封装的重要方向，广泛应用于消费电子等领域。其通过将处理器、存储器、传感器等不同功能芯片及无源元件集成于单一封装内，显著提升系统集成度与设计灵活性。相比SoC方案，SiP具有研发周期短、成本低的优势，支持2D、2.5D和3D等多种堆叠结构。
据智研咨询数据，2023年中国SiP市场规模达371.2亿元，预计2024年将增长至450亿元。
晶圆级封装（WLCSP）
晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）在晶圆阶段完成封装工艺，相较传统切割后封装，具备尺寸小、功耗低、信号传输快等优势，广泛应用于移动设备、AI与物联网产品。
WLCSP主要分为扇入型（Fan-In）和扇出型（Fan-Out），涉及重布线层（RDL）、倒装芯片（Flip Chip）及硅通孔（TSV）等核心技术。
根据WISEGUYREPORT数据，2023年全球WLCSP市场规模约为184.5亿美元，2024年预计达202.9亿美元，2032年有望增至435亿美元，年均复合增长率达10.0%。
WLCSP工艺流程
1. 扇入型（Fan-In WLCSP）：在晶圆表面沉积金属层，经光刻形成电路图案，电镀铜引线后覆盖绝缘层，再通过植球工艺固定锡球，最后切割为独立封装体，封装尺寸与芯片一致。
2. 扇出型（Fan-Out WLCSP）：将切割后的芯片重新排列于载片上，模塑形成人工晶圆结构，随后进行布线制作与植球，最终切割成独立单元。该技术允许封装面积大于芯片，提升布线自由度。
WLCSP依托晶圆级光刻与电镀工艺，实现高密度集成与低成本量产，是推动电子产品小型化的关键技术之一。
封装设备供应商概览
数据来源：半导体综研
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