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技术分享|可靠性—功率循环试验

技术分享|可靠性—功率循环试验 KeyMoon Semiconductor
2025-09-09
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分享概述

功率循环试验是评估功率器件封装可靠性的关键测试方法之一,通过周期性导通与关断使器件结温波动,模拟实际应用中频繁开关的工作状态。本文重点介绍该试验的原理、模式、标准及实施流程。

功率循环试验原理

如图1所示,试验通过开关控制大电流以特定占空比(Duty Cycle = ton/(ton+toff))施加于被测器件,使其主动发热至最高结温Tvjmax;随后切断电流,器件冷却至最低结温Tvjmin。在此过程中,利用小电流测量VCE(T)的变化,间接获取结温波动情况。

图1 功率循环试验原理图

功率循环试验模式

根据控制策略不同,功率循环试验可分为四种模式:

恒定电流模式

保持ton和toff不变,施加固定加热电流,不进行任何补偿。此模式对封装材料考验最严苛,适用于加速老化测试。

恒定功率模式

在ton/toff固定条件下,系统自动调节加热电流,维持器件功率恒定,避免因参数漂移影响试验一致性。

恒定壳温模式

结合冷板水流量调节,控制系统动态调整加热电流,确保器件壳温差稳定,适用于散热条件可控的应用场景。

恒定结温模式

基于结温反馈,实时调节加热电流,使结温波动幅度保持恒定,更贴近真实工况下的热管理需求。

图2 功率循环试验时序图

功率循环试验标准

主流测试标准中,AQG 324、QC/T 1136 和 T/CASA 011.3 对功率循环试验规定较为全面。以下重点解析 AQG 324 标准内容。

该标准将功率循环分为两类:

秒级功率循环(PCsec

导通时间 ton < 5s,主要考核芯片附近互连结构,如芯片贴装层(Die Attach)、键合线等。

分钟级功率循环(PCmin

导通时间 ton > 15s,热应力可传导至整个封装体,重点评估系统焊料层可靠性,如芯片与DBC、DBC与基板间的焊接质量。

失效判定依据一致:当 VCE/VDS/VF 增加超过5%,或热阻 Rth 上升超过20%时,判定器件失效。

  • VCE/VDS/VF 升高通常反映键合线老化;
  • Rth 显著增加则表明散热路径受损,常见于界面分层或焊料退化。

由于两种试验考察的失效机制不同,需结合使用以全面验证封装可靠性。典型失效形式包括引线键合退化、金属化层降解、焊料层分层及基板开裂等。

表1 各测试标准对比

表2 PCsec 和 PCmin 测试条件

表3 功率循环失效判据

图3 功率循环典型失效机制

功率循环试验流程

完整试验流程包含三个阶段:K系数标定、瞬态热测试和正式功率循环试验。

图4 功率循环试验流程

Step 1:K系数标定

利用器件电压与温度的线性关系,选取小电流测量VCE作为温度敏感参数,建立ΔTJ = K×ΔV的关系式。

标定过程建议在常温至100℃范围内,每20~25℃取一个数据点。待温度稳定(5分钟内变化≤0.5°C),记录对应电压值。K系数为温度差与电压差之比(单位:℃/mV)。

标定完成后需检查曲线拟合度R²,应尽可能接近或高于0.999。

图5 K系数曲线

Step 2:瞬态热测试

正式试验前进行一次瞬态热测试,用于设置“Transient Correction”曲线。通过外推法确定“零时刻”电压Vhot,提升结温测量精度。

要求曲线拟合度R²尽量接近99.999%。

图6 瞬态热测试曲线

Step 3:功率循环试验

初始阶段可调节ton、toff、冷板水流量等参数,使器件达到目标结温范围。一旦试验启动,不得更改控制参数。

每个周期内,大电流关断瞬间达到Tvjmax,随后自然冷却至Tvjmin,形成完整热循环。

试验过程中持续监控Von、Tvjmax、Tvjmin、Rth等参数。当Rth上升≥20%或Von增加≥5%时,判定为失效。

图7 单个周期内的器件导通与关断曲线

图8 器件2万次循环下的Von与Rth

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