澳大利亚昆士兰大学邹进（Jin Zou）教授团队通过与澳大利亚国立大学合作，利用有机金属化学气相沉积（MOCVD）实现了在硅晶片上无催化剂外延式生长砷化铟纳米线的新工艺。目前在硅晶片上生长III-V族纳米线普遍的工艺为：首先将单晶硅片表面氧化一层氧化硅，然后利用电子束曝光技术将氧化层制成有孔图案，最后通入所需气氛进行III-V族纳米线外延式的生长。该团队突破了现有的制备程序，直接在单晶硅片上沉积多孔金属层，实现III-V族纳米线的生长。此工艺提供了一种简单、省时、耗费低的III-V族纳米线无催化剂硅晶片上外延式生长。
利用上述工艺，该团队选择了三种和硅晶片相兼容的镍、铂、钯作为多孔金属层，成功实现了砷化铟纳米线在（111）和（001）硅晶片上的外延式生长。他们通过细致的形貌、结构电镜表征发现：在550 °C生长环境下，镍作为多孔金属层时，超长、无缺陷纤锌矿结构的砷化铟纳米线在（111）硅晶片上得以外延式生长。
这一研究成果发表于《Nano Letters》上。第一作者苏文婷（Mun Teng Soo）是博士三年级学生。
该论文作者为：M. Teng Soo, Kun Zheng, Qiang Gao, H. Hoe Tan, Chennupati Jagadish, Jin Zou
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.nanolett.6b01064
Growth of Catalyst-Free Epitaxial InAs Nanowires on Si Wafers Using Metallic Masks
Nano Lett., 2016, 16, 4189-4193, DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01064