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10月14日，上交所公告，因深圳飞骧科技股份有限公司（以下简称“飞骧科技”）撤回发行上市申请，根据相关规定，终止其首次公开发行股票并在科创板上市审核。
飞骧科技科创板IPO于2022年10月10日获受理，2022年11月05日进入问询阶段，2024年10月14日终止审核，共经历两轮问询。
招股书显示，飞骧科技核心业务聚焦于射频前端芯片的研发、设计以及市场推广，应用领域涵盖智能手机、平板电脑等便携式智能设备及无线宽带路由器等网络通信市场。
本次飞骧科技IPO进程中审核问询问题中知识产权方面的主要问询点1为【核心技术】，上市委重点问询了：
（1）公司核心技术内容及技术路径是否与行业技术发展相匹配；
（2）披露的对比产品是否为公司及竞争方的主要销售产品，是否可以代表 竞争对手及行业先进或主流技术水平；
（3）公司产品与国内主要竞品的先进性对比情况；
（4）结合合作研发的具体成果、共有专利及质押知识产权在公司的应用情况及重要程度等，说明公司研发活动是否依赖第三方，核心技术是否具备自主研发能力。
以下是发行人对审核问询函相关问题的回复：
3.2 关于工艺与技术
根据申报材料：（1）公司是全球少数同时具有砷化镓 PA（GaAs）设计能力和硅基PA（CMOS和SOI）设计能力的射频芯片厂商之一，公司最早在国产GaAs工艺平台量产5G射频前端器件，也是目前采用国产GaAs工艺出货量最多的国内射频前端公司；（2）公司2G/3G/4G产品逐渐采用CMOS工艺替换较为昂贵的GaAs工艺；（3）公司拥有超低静态电流高线性PA设计等11项核心技术，招股说明书披露了公司部分产品与Skyworks或Qorvo对应产品的性能指标对比情况；（4）报告期内公司与中国科学院微电子研究所、芯和半导体等存在合作研发的情形，公司存在 2 项与华南理工大学的共有专利、1 项知识产权质押；（5）公司采购Keysight EDA软件License，公司未披露在研项目的相应人员。
请发行人披露：按照《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 41号——科创板公司招股说明书》2第五十四条的要求，披露在研项目的相应人员。
请发行人说明：（1）砷化镓 PA（GaAs）、硅基 PA（CMOS 和 SO I）在技术、功能、性能、应用领域等方面的区别，公司各产品采用的工艺方案，采用 CMOS 工艺替换 GaAs 工艺的原因及对产品性能的影响，结合行业主要厂商使用各工艺方案的具体情况等，说明公司工艺转换与行业趋势是否相匹配，“国产最早、最多”及类似表述是否客观准确；（2）公司核心技术内容及技术路径是否与行业技术发展相匹配，披露的对比产品是否为公司及竞争方的主要销售产品，是否可以代表竞争对手及行业先进或主流技术水平，公司产品与国内主要竞品的先进性对比情况；（3）公司与 EDA 软件供应商的合作是否稳定，结合合作研发的具体成果、共有专利及质押知识产权在公司的应用情况及重要程度等，说明公司研发活动是否依赖第三方，核心技术是否具备自主研发能力。
请保荐机构对上述事项进行核查并发表明确意见。
回复：
一、发行人披露
（一）按照《公开发行证券的公司信息披露内容与格式准则第 41 号——科创板公司招股说明书》第五十四条的要求，披露在研项目的相应人员
发行人已在招股说明书“第五节 业务与技术 ”之“七、公司核心技术及研发情况 ”之“（四）正在从事的研发项目及进展情况 ”之“ 1、在研项目情况 ”中补充披露如下内容：
“公司目前在多个方向开展研发工作，以进一步巩固优势产品的技术能力，并根据行业发展趋势不断拓展前瞻性领域的技术能力。截至 2022 年 12 月 31 日，公司正在从事的研发项目及其进展情况如下：
二、发行人说明
（一）砷化镓 PA（GaAs）、硅基 PA（CMOS 和 SOI）在技术、功能、性能、应用领域等方面的区别，公司各产品采用的工艺方案，采用 CMOS 工艺替换GaAs 工艺的原因及对产品性能的影响，结合行业主要厂商使用各工艺方案的具体情况等，说明公司工艺转换与行业趋势是否相匹配，“ 国产最早、最多 ”及类似表述是否客观准确
1、砷化镓 PA（GaAs）、硅基 PA（CMOS 和 SOI）在技术、功能、性能、应用领域等方面的区别，公司各产品采用的工艺方案
报告期内，公司射频前端芯片的组成器件采用的工艺方案情况如下：
2、采用 CMOS 工艺替换 GaAs 工艺的原因及对产品性能的影响
（1）工艺替换的原因
CMOS和GaAs工艺由于材料本身特性不同，因此具备的器件特性也不同。GaAs材料由于自身较宽的禁带宽度和较高的载流子速率，其电子迁移率比Si高6倍，同时也具有较高的击穿电压，适宜于超高速、超高频、高功率的器件应用，因此对于PA器件而言，GaAs相较于Si是更好满足性能要求的材料。
但是GaAs材料较贵，且成熟工艺只有6寸晶圆，因此在产能和成本上均不占优势，报告期内宏捷科技的6寸GaAs晶圆平均单价为6,000元/片以上。而CMOS工艺基于硅材料加工，8寸、12寸晶圆工艺成熟，产能充足，成本较低，报告期内台积电的8寸CMOS晶圆平均单价为3,000多元/片。但是硅材料本身的材料特性使其不具备高功率、高线性特性， 需要在设计上做一些补偿才能达到同等的砷化镓工艺效果。
4G-5G手机对射频功率放大器的线性度、频率、效率等相关要求较高，采用CMOS工艺制造出满足通信要求的射频功率放大器的难度较大。因此行业内4G-5G市场普遍采用GaAs工艺。但是，在2G 、3G市场，由于其功率和线性度要求不高，CMOS工艺有较大的成本优势。在部分对价格敏感的4G市场，已有同行业公司采用CMOS工艺替换GaAs工艺，推出了低成本产品，当前还处于市场导入期。因此，发行人在2G、3G、4G产品中逐渐采用CMOS工艺替换较为昂贵的GaAs 工艺系出于提高性价比和产品竞争力的角度考虑，具有合理性。
（2）工艺替换对产品性能的影响
由于采用CMOS工艺设计的PA产品要达到与GaAs工艺相同性能指标的技术难度较高，发行人为成功实现产品从砷化镓材料向硅基材料的转换，需要在CMOS方案中进行线性度补偿、限流保护、过压保护等一系列的技术处理，方能达到某些应用场景要求的砷化镓技术指标水平。
在发行人的CMOS方案中，主要克服了以下难点：1）功率密度低：采用功率合成技术，将众多单管进行电压和电流合成；2）击穿电压低：采用过压保护技术，在电源管理模块中加入限压和限流设计，在PA负载失配时钳位电压、限制电流，保护晶体管不会被烧毁；3）线性度低：采用线性化补偿技术，通过幅度和相位的补偿，以及新的谐波陷波网络，将CMOS PA的幅度失真、相位失真和谐波抑制提升到接近砷化镓的水平。
发行人GaAs工艺和CMOS工艺的3G TxM产品的性能对比情况如下：
由上表可见，发行人GaAs工艺和CMOS工艺的3G TxM产品性能基本处于同一水平，工艺替换并未给产品性能带来负面影响。
发行人GaAs工艺和CMOS工艺的4G Phase II TxM产品与国际主要厂商Qorvo的性能对比情况如下：
由上表可见，发行人的GaAs 4G TxM 、CMOS 4G TxM和Qorvo的CMOS 4G 产品的性能相互接近，整体上处于同一水平。
3、公司工艺转换与行业趋势的匹配情况
射频前端器件采用特殊制造工艺，工艺壁垒较高，行业中普遍采用的器件材料和工艺平台包括CMOS 、SOI 、GaAs等，逐渐出现的新材料工艺还有GaN等，行业中的各参与者需在不同应用背景下，寻求材料、器件和成本的最佳组合，以提高射频前端芯片产品的性能。
当前，国际主流终端PA厂商中，Qorvo的4G产品存在从GaAs工艺向CMOS工艺转换的情形，其CMOS 4G产品RF5216A的具体情况参见前文。同时，在国内同行业厂商中，昂瑞微和发行人均出于成本优化的考虑，将2G-3G产品从GaAs 工艺切换为CMOS工艺，例如昂瑞微的HS8270、HS8689E、HS8684E等产品的PA 芯片均采用了CMOS工艺进行设计制造。由于市场竞争和技术原因，其他射频厂商将CMOS工艺主要运用于控制器芯片，PA芯片依旧采用GaAs工艺。
综上所述，发行人的工艺转换系基于成本优化和产能供应的角度考虑，仅用于对功率、线性度要求较低的2G 、3G及部分4G产品；对功率和线性度要求较高的4G-5G产品，发行人依旧主要采用GaAs工艺，符合行业趋势。
4 、“ 国产最早、最多 ”及类似表述是否客观准确
发行人关于“公司最早在国产GaAs工艺平台量产5G射频前端器件，也是目前采用国产GaAs工艺出货量最多的国内射频前端公司 ”的论述主要系基于与国 产GaAs晶圆厂三安集成的合作情况得出的，具体情况如下：
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014 年，是上市公司三安光电（600703.SH）的全资子公司，系一家国产GaAs晶圆代工厂商。2015年，三安光电非公开项目筹集募集资金建设了通讯微电子器件（一期）项目，项目实施主体即为三安集成，该项目聚焦于砷化镓高速半导体器件及氮化镓高功率半导体器件两类通讯微电子产品的生产。
发行人与三安集成于2017年开始建立合作，先后经历了3G/4G/5G产品的开发与量产。通过多年的技术积累， 发行人于2020年中第一家发布了基于三安集成的国产GaAs工艺的5G PA模组。而当时国产PA厂商量产的5G产品，大都是基于中国台湾晶圆代工厂稳懋、宏捷科技的GaAs工艺。此后经过2年的推广与经营，经与三安集成访谈确认，发行人现已成为三安集成出货量最多的射频前端芯片公司。
根据同行业公司披露的公开文件，国内主要PA厂商合作的GaAs晶圆供应商主要为境外企业。除发行人和康希通信外，未有其他同行业PA厂商披露其主要供应商中有国产GaAs晶圆代工厂的情形。康希通信与发行人相比采购金额较小，且不涉及5G射频前端器件。具体情况如下：
当前，具备GaAs射频前端芯片生产能力的国产晶圆厂的产能情况如下：
由上表可见，三安集成是国内第一大GaAs晶圆厂。报告期内，发行人采购三安集成晶圆数量超5万片。2022年，发行人向三安集成采购晶圆数量为1.8万片，占三安集成总产能近20% ，且由于GaAs晶圆厂除为射频前端芯片企业进行代工外，还可代工其他GaAs半导体器件，因此发行人实际占三安集成在射频前端芯片领域代工的份额更高，也系三安集成出货量最多的射频前端芯片公司。
综上所述，发行人关于“公司最早在国产GaAs工艺平台量产5G射频前端器件，也是目前采用国产GaAs工艺出货量最多的国内射频前端公司 ”的论述客观、准确。
（二）公司核心技术内容及技术路径是否与行业技术发展相匹配，披露的对比产品是否为公司及竞争方的主要销售产品，是否可以代表竞争对手及行业先进或主流技术水平，公司产品与国内主要竞品的先进性对比情况
1、公司核心技术内容及技术路径与行业技术发展相匹配
射频前端芯片行业的技术路径具体可以归纳为高功率、高线性、低功耗、低成本、高带宽、高耐压、多频段、低插损、高动态范围和小尺寸等。具体含义如下：
发行人的核心技术内容及技术路径与行业技术发展的匹配情况如下：
由上表可见，公司核心技术内容及技术路径与行业技术发展相匹配。
2、披露的对比产品为公司及竞争方的主要产品，可以代表竞争对手及行业先进或主流技术水平
（1）发行人披露的对比产品为发行人的主要销售产品
发行人营业收入主要来源于4G PA及模组和5G模组，综合考量对收入的贡献及产品型号的代表性，选取主要细分领域代表产品与主要竞争对手进行比较，具体情况如下：
L-PAMiF系发行人当前已量产的5G产品体系中最具有代表性的产品，发行人披露的两款5G L-PAMiF 对比产品报告期各期合计收入占5G 模组收入的22.66%，系发行人L-PAMiF产品中累计销售金额和出货量最高的2款型号；发行人披露的三款4G对比产品报告期各期合计收入占4G PA及模组收入的72.02%，其中FX5196为发行人的4G CMOS PA降本新产品，于2022年开始出货，2022年销售金额较小，实现销售收入962.33万元，对应终端客户华勤技术等，未来与基于砷化镓新架构方案产品共同服务于4G客户，具有一定的代表性。
综上，发行人披露的对比产品系发行人的主要销售产品和代表性产品。
（2）发行人披露的对比产品为竞争方的代表性产品，可以代表竞争对手及行业先进或主流技术水平
发行人选取了Skyworks的SKY58255-11和SKY77643-81 、Qorvo的QM78207 和RF5216A产品进行了对比分析。
在考虑竞品选取时，发行人主要综合以下标准进行选取：1）竞争方为全球射频前端芯片行业的领先企业；2）该产品在功能定位上与发行人产品相近；3）竞争方是否在产品手册或公开发言中描述该产品能够代表其先进水平；4）竞争方的产品是否在主流手机中有所应用；5）同行业公司在公开文件中是否也选取该产品进行了技术指标对比。
根据Yole Development数据，Skyworks是2021年全球第一大射频芯片厂商。
发行人选取对标的产品SKY58255-11 及SKY77643-81的相关信息均来 自Skyworks的官方网站（https://www.skyworksinc.com）。其中，SKY58255-11系skyworks官网的5G产品中唯一一款支持n77/n79频段的产品，Skyworks在产品手册中披露，SKY58255-11是一款“支持多频段4G/5G和LTE/NR应用的新产品”，该产品应用于OPPO RENO3等高端手机，慧智微在披露文件中也将其作为对比产品进行比较；Skyworks在产品手册中披露，SKY77643-81“在3G和4G频段具有行业领先的增益指标”，唯捷创芯和慧智微均将其作为对比产品进行比较。因此，SKY58255-11及SKY77643-81系Skyworks的代表性产品，可以代表Skyworks及行业先进或主流技术水平。
Qorvo是全球领先的在线宽带连接的产品和技术厂商，是国际领先的射频产品提供商，根据Yole Development数据，Qorvo为2021年射频前端市场全球第二大厂商。发行人选取的对比产品QM78207及RF5216A的相关信息均来自Qorvo的官方网站（https://cn.qorvo.com ）。Qorvo在产品手册中披露，QM78207是一款“高度集成且同时适用4G-LTE和5G-NR标准的Sub-6GHz产品，目标市场为旗舰/高级智能手机 ”。同时， Qorvo移动产品事业部总裁指出其发布的RF Fusion20产品中集成了 Qorvo一 流的 GaAs 功率放大器 ，其 中集成的超高频段模块即为QM78207/208/209。此外，Qorvo在产品手册中披露，RF5216A是一款“ 同时支持GSM850、GSM900、DCS1800和PCS1900频段的高线性、低插损产品 ”，荣耀20手机中采用了该产品。因此，QM78207和RF5216A系Qorvo的代表性产品，可以代表Qorvo及行业先进或主流技术水平。
综上所述，发行人披露的对比产品为竞争方的代表性产品，可以代表竞争对手及行业先进或主流技术水平。
3、公司产品与国内主要竞品的先进性对比情况
根据公司的主要产品线分布，考虑数据的公开可获得性，公司选择国际厂商Skyworks公开披露的产品手册性能数据，以及国内厂商慧智微、唯捷创芯披露的数据作为对比参考，选择相似应用场景下的同一类型射频前端模组型号，并依据行业惯例选择射频前端领域关键核心性能指标进行比对，具体如下：
（1）5G Sub6双频L-PAMiF
FX6779是发行人主要的5G产品之一，与Skyworks的SKY58255-11、慧智微的S55255-1 具有较强的可比性，经比较， FX6779 主要技术指标与慧智微、
Skyworks产品技术参数互有高低。具体比较结果如下：
（2）4G Phase II MMMB
NZ5627G是发行人主要的4G产品之一，与Skyworks的SKY77643-81、唯捷创芯的VC7643-62、慧智微的S5643-62具有较强的可比性。经比较，四家公司的产品技术参数互有高低或基本持平。具体情况如下：
如上表所示，相较于同行业公司Skyworks、唯捷创芯和慧智微的同类型产品，公司主要产品5G Sub6双频L-PAMiF、4G Phase II MMMB的技术参数互有高低或基本持平，公司主要产品在性能参数上与国内、国际厂商处于同一水平。除此之外，发行人5G Sub6单频L-PAMiF和4G Phase II TxM产品由于国内厂商并未披露， 故无法进行比较。
（三）公司与 EDA 软件供应商的合作是否稳定，结合合作研发的具体成果、共有专利及质押知识产权在公司的应用情况及重要程度等，说明公司研发活动是否依赖第三方，核心技术是否具备自主研发能力
1、公司与 EDA 软件供应商的合作情况
截至本回复出具日，发行人与EDA软件供应商的合作情况如下：
发行人因EDA软件到期后供应商不续约而影响公司研发经营活动的可能性较小。首先，公司与上述EDA供应商建立了稳定的合作关系，未发生过合作纠纷，且不存在潜在纠纷。除不可抗力外，发行人与EDA供应商不能续约的风险较小。同时，在公司目前获得的EDA软件授权中，Mentor Graphics、COMSOL和ANSYS的授权期限为永久，Cadence的授权期限为99年， 在此期间可正常使用。而Keysight、Calibre软件在国内市场普遍采用3-5年一签的模式开展业务，符合其自身惯例，预期不存在续约的风险。
此外，目前EDA软件细分市场较为成熟，同一类别软件存在国内本土备选供应商，包括上海概伦电子股份有限公司、北京华大九天科技股份有限公司、无锡飞谱电子信息技术有限公司、芯和半导体科技（上海）有限公司、杭州法动科技有限公司等，供应商互相之间具有可替代性，单一供货商的断供不会对企业从其他供应商处获取EDA软件造成障碍。发行人更换并适应新的供应商可能会对研发验证周期造成一定滞后影响，但不会造成重大不利影响或导致业务发展受到严重阻碍。
2、合作研发的具体成果、共有专利及质押知识产权在公司的应用情况及重要程度
（1）合作研发的具体成果、共有专利在公司的应用情况及重要程度
报告期内，发行人与国内知名研究机构及高等院校建立了长期友好的合作关系，通过建立联合实验室及联合开发等方式发挥双方的技术资源和能力。截至本回复出具日，合作研发的具体成果、共有专利、 在产品中的应用情况及重要程度如下：
上述合作研发项目形成了4项共有发明专利、1项发行人自有的专利、1款未形成收入的产品以及部分样品和测试数据交付。上述合作研发成果中， “射频芯
片联合实验室 ”形成的4项共有专利主要保护发行人未来在毫米波领域的技术布局，其部分创新点在当前在售产品中主要在带宽拓展、降低匹配损耗等方面起到了一定的正向作用；“模拟或数模混合集成电路芯片设计的EDA技术创新与应用 ”形成的发行人自有的专利在部分产品布图设计中应用；除此之外，其他的合作研发成果尚未应用在公司的主营业务中。上述合作研发成果对发行人当前主营业务的重要程度较低，同时根据发行人与合作方签订的合作研发协议，发行人能够对合作研发成果进行合法使用。
（2）质押知识产权在公司的应用情况及重要程度
发行人仅实用新型专利“一种压按旋转扣 ”（专利号：ZL201721170593.1）处于质押状态，该专利仅用于研发中的实验室治具装配过程和产业化过程，未应用在具体产品中，重要程度较低。
3、公司研发活动不依赖第三方，核心技术具备自主研发能力
（1）公司已建立独立的研发体系及成熟的研发团队
公司已建立独立的研发体系。公司的研发部门下设产品开发部、技术预研部、产品管理部、器件认证部及工程质量部， 各部门围绕公司的战略发展方向及年度研发目标开展工作，具体工作内容如下：
公司已建立起成熟的射频前端芯片研发和运营团队，核心人员均具有10年以上的研发或运营经验，创始人龙华先生从2005年即在国内从事射频前端芯片研发，是国内最早一批从业者之一，对行业和市场具有深度理解，管理运营团队核心成员跟随龙华先生多年，在下游客户端和上游供应链方面积累了深厚的资源。
截至2022年12月31日，发行人研发人员192人，占员工总数的比例为54.86%，正在从事的研发项目16个，均围绕行业的前沿产品和方向。
（2）公司研发投入主要为自主研发，合作研发占比较低
为保证产品技术的先进性，公司自成立以来，持续跟踪射频前端行业领域核心技术的发展并开展深入调研，同时在产品研发上保持较高的研发投入。报告期内，公司研发投入分别为7,034.27万元、12,242.56万元和17,099.21万元， 占当期营业收入的比例分别为19.29% 、13.36%和16.74% 。2021年至2022年，发行人合作开发费支出仅为355.83万元，占比较小。
（3）公司掌握与核心产品相关的专利和技术
经过多年研发积累和行业应用实践过程中，公司已构建一套具有自主知识产权的核心技术体系。公司在射频前端芯片领域持续进行研发创新，形成了覆盖2G到5G的射频前端核心技术，拥有涵盖2G/3G/4G/5G通信技术的完整专利布局。截至2022年12月31日，公司合法拥有130项境内专利（仅4项为共有专利），其中发明专利41项，实用新型专利89项，此外发行人还拥有境外专利6项。公司核心技术15项，涵盖了射频前端模组主要器件及模组的设计。
公司已形成“超低静态电流高线性PA设计 ”、“应用于5G通信的包络跟踪PA的设计技术 ”等15项具有自主知识产权的核心技术。报告期内，公司核心技术形成的产品收入占主营业务收入的比例为100.00%。
综上，公司核心技术均为自主研发，研发活动不依赖第三方，核心技术具备自主研发能力。
数据引用来源：http://listing.sse.com.cn/
放心/省心
有效/尊重