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2024年7月3日，上交所公告，因深圳尚阳通科技股份有限公司（以下简称“尚阳通”）撤回发行上市申请，根据相关规定，终止其首次公开发行股票并在科创板上市审核。
尚阳通科创板IPO于2023年5月30日获受理，2023年6月22日进入问询阶段，2024年7月3日终止审核，共经历一轮问询。
招股书显示，尚阳通作为国家级高新技术企业和深圳市“专精特新”企业，聚焦高性能半导体功率器件研发、设计和销售。高压产品线包括超级结MOSFET、IGBT及功率模块、SiC功率器件，中低压产品线主要包括SGT MOSFET，覆盖车规级、工业级和消费级应用领域，重要产品关键技术指标达到“国际先进、国内领先”水平。公司凭借业内领先的半导体工艺及器件设计能力、优异的产品性能、完善的解决方案和持续稳定的供货能力，在供应链安全愈发重要的市场环境下，为重要细分领域客户提供了核心半导体功率器件的国产替代方案。
尚阳通IPO进程中审核问询问题中知识产权方面的主要问询点2为【产品先进性】，上市委在首轮问询中重点问询了：
根据申报材料：（1）公司高压产品线包括超级结 MOSFET、IGBT 及功率模块、SiC 功率器件，中低压产品线主要包括 SGT MOSFET，覆盖车规级、工业级和消费级等应用领域，广泛应用于新能源充电桩、汽车电子、光伏储能、数据中心、服务器和通信电源、工控自动化和消费电子等诸多领域；（2）在产品性能比较上，发行人选取国内外同行业公司固定参数平台下最高技术水平的产品进行比较分析，发行人产品处于国际先进、国内领先水平；但发行人选取的部分竞品型号与竞争对手公开披露文件中用于展示先进性产品存在差异，同时比较的维度较多；（3）在半导体功率器件产品设计和制造过程中，功率损耗是衡量器件性能的重要指标，通常可以通过缩小原胞尺寸（Pitch）实现功率损耗降低，公司已完成第四代超级结工艺实现 7 微米 Pitch，目前国外最先进的技术采用了 5.4 微米 pitch 结构，公司第五代超级结 MOSFET 可实现 5 微米Pitch；公司第二代 IGBT 已完成 2.4 微米 Pitch 产品量产，第三代 IGBT1.6 微米 Pitch 产品目前已完成可靠性验证和评测；（4）公司拥有自己专有的工艺技术研发，不完全依赖晶圆代工厂商的一般标准工艺，公司会设计工艺制程和工艺方案，设定技术指标，利用晶圆代工厂的工艺开发能力，运用于公司产品的研发、设计和制造，形成相应技术门槛和工艺技术代际差异。
请发行人说明：（1）区分产品类别、产品代际说明发行人主要产品的量产上市时间、主要性能指标、先进程度及与国内外竞争对手的比较情况，第五代超级结产品和第三代 IGBT 产品的开发进度，发行人目前与国外最先进技术水平的差距，发行人是否存在技术路线或产品迭代升级风险；（2）应用于不同领域之间产品的先进性比较情况；发行人功率模块产品的业务模式，是否存在外购芯片的情形；（3）用于竞品比较的产品收入占比情况，是否属于发行人主要产品型号，结合竞品上市时间、是否为主流产品或最先进产品等情况，说明所选取的竞品是否具有代表性和可比性；（4）发行人作为 Fabless 企业，核心技术、工艺技术在实现不同类型产品性能先进性的具体体现，是否更依赖于制造、封测等工艺环节；结合发行人 Fabless 经营模式及核心技术情况，说明Pitch 尺寸对于评价发行人技术先进性的意义，衡量发行人产品先进性的最关键指标或维度；（5）结合前述问题，进一步说明发行人核心技术的先进性，产品处于国际先进、国内领先水平的具体依据。
以下是上交所对发行人首轮审核问询中相关问题的问询原文：
数据引用来源：https://www.sse.com.cn/
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放心/省心
有效/尊重