脑机接口突破:瘫痪男子通过脑电波拼写千余单词
高密度电极植入助力失语患者实现高效语言重建
By Staff Reporters
一项突破性脑机接口技术帮助一名无法说话的瘫痪男子成功拼写出超过1,150个单词。研究人员在其大脑皮层表面、言语运动区上方植入高密度电极,通过神经假体设备实时捕捉并解码其脑电波信号,将其转化为完整句子。
▲ 该图像由加州大学圣地亚哥分校Muotri实验室提供,显示类脑器官横截面。(PHOTO: VCG)
该技术原理是通过植入大脑的设备捕获脑电波,用户只需在脑中默念音标字母即可触发信号。系统结合语言模型对数据进行实时解码,预测可能的词汇或纠正错误,显著提升拼写效率与准确率。
相比传统依赖头戴指针逐字选择的方式,新方法解码速度达每分钟约29个字符(约7个单词),错误率仅为6%。已识别词汇覆盖常用英文句子中85%以上的内容,词库模拟扩展后可支持超9,000个单词,接近普通人年度日常用词量。
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Editor | SONG Ziyan
Supervisor| TIAN Xueke

