英诺赛科递交港交所IPO申请，聚焦氮化镓功率半导体
公司简介与融资历程
据港交所披露，2024年6月12日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司递交上市申请，中金公司、招银国际为联席保荐人。
英诺赛科成立于2015年，专注于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，并是全球唯一实现量产氮化镓高、低压芯片的IDM企业。截至2024年4月E轮融资后，公司投后估值达234.5亿元。
主营业务与优势
英诺赛科采用IDM模式，对硅基氮化镓半导体产品的设计、制造及测试全流程自主控制。该模式有助于率先试验并推出新技术。
公司产品包括氮化镓晶圆、分立器件、集成电路及模组，广泛应用于消费电子、可再生能源、汽车电子和数据中心等领域。
截至2023年底，公司拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，月产能达1万片晶圆，晶圆良率超95%。其8英寸硅基氮化镓晶圆较6英寸成本降低30%，且具备高频开关、低发热特性。
行业前景
据弗若斯特沙利文资料，氮化镓功率半导体市场规模从2019年的1.4亿元增至2023年的17.6亿元，复合年增长率为88.5%，预计未来将以98.5%的速度增至501亿元。主要应用场景为消费电子和电动汽车。
行业地位与股权结构
2023年，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场中排名首位，市场份额为33.7%，是前五大参与者中唯一的中国企业。
控股股东集团持有公司34.48%股份，招商银行通过招银成长等持有15.80%，SK中国持股5.81%。
财务数据
2021年至2023年，公司收入从6821万元增长至5.9亿元，复合年增长率达194.7%。然而，公司尚未盈利，同期净亏损分别为34.0亿元、22.0亿元和11.0亿元。按产品划分，分立器件及集成电路、晶圆和模组贡献收入比例接近。销售成本中，工程及维修成本占比最高。
中介团队与保荐表现
本次IPO由中金公司、招银国际担任保荐人，高伟绅、上海澄明为公司律师，毕马威为审计师，弗若斯特沙利文为行业顾问。