这几年，虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓，但是在半导体工艺上，几大巨头却是杀得兴起。Intel终于进入10nm工艺时代并将在后年转入7nm，台积电、三星则纷纷完成了7nm工艺的布局并奔向5nm、3nm。
现在，台积电又官方宣布，正式启动2nm工艺的研发，这使其成全球为第一家宣布开始研发2nm工艺的公司。据悉，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产，时间节奏上还是相当的快。
按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。
台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。
其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)。
按照台积电的说法，2nm工艺研发需时4年，最快也得要到2024年才能进入投产。这段时间里5nm工艺乃至3nm工艺均会成为过渡产品，以供客户生产芯片的需要。
此外，谈到3nm工艺时，台积电表示其第一家3nm工厂位于台湾新竹，预计2021年投产，2022年将批量生产。
