中国证监局官网显示，国内半导体前道工艺设备研发商青岛思锐智能科技股份有限公司（简称“思锐智能”）已在青岛证监局办理辅导备案登记，正式启动A股上市进程，辅导机构为国泰君安。
思锐智能成立于2018年1月，注册资本为11.21亿元，法定代表人是聂翔，公司无控股股东、无实际控制人，第一大股东为中车青岛四方车辆研究所有限公司，持股比例为19.48%。
企业信息查询平台企查查显示，歌尔股份、上汽投资均曾参投思锐智能。
▲思锐智能融资历程（来源：企查查）
根据官网介绍，思锐智能总部位于中国青岛，并在北京、上海设有研发中心，主要聚焦关键半导体前道工艺设备。其产品包括原子层沉积（ALD）设备及离子注入（IMP）设备，广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源、光学、零部件镀膜等诸多高精尖领域。
薄膜沉积是晶圆制造的三大核心步骤之一，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。半导体器件的不断缩小对薄膜沉积工艺提出了更高要求，而ALD技术凭借沉积薄膜厚度的高度可控性、优异的均匀性和三维保形性，在半导体领域尤其是先进制程中具有广泛的应用潜力。
思锐智能提供了原位等离子体处理、原位生长高质量的PEALD膜层、热法ALD的一套三步解决方案，可改善GaN器件的动态性能，降低器件的回滞，已通过国内外GaN领域知名企业的量产验证。
离子注入是集成电路制造工艺中十分重要的环节。IMP离子注入技术为半导体应用提供精确控制的掺杂、电平修复、聚焦注入、定制化加工和温度控制的解决方案。
2023年9月，思锐智能成功推出的国内首台能量达到8MeV的高能离子注入机交付到国内头部企业，填补了国内空白。
思锐智能已构建了系列化、平台化的离子注入机产品线，以高能离子注入机和大束流离子注入机为基础，并不断扩展覆盖包括碳化硅（SiC）在内的功率半导体领域，满足多样化的应用需求。
2018年，思锐智能完成对ALD技术发源地——芬兰倍耐克公司100%股权的收购工作。思锐智能整合倍耐克海外前沿技术研发资源，开展ALD技术国内外联合研发与国内产业化落地工作，建立了完善的ALD产品体系，覆盖全球众多头部客户，并在众多细分领域取得领先的市场竞争地位。
目前思锐智能及其子公司拥有300余项相关专利，在ALD技术及应用方面技术积累丰富。该公司在推进ALD业务转型升级后，布局离子注入设备业务并取得突破，以高能离子注入机为切入点开展研发，解决国内高端离子注入机“卡脖子”问题，逐步完成硅基及化合物半导体领域全系列机型的布局。
思锐智能获评了国家级专精特新“小巨人”称号，并承担多项省市级重点研发计划和国际合作项目。依托半导体先进装备研发制造中心，该公司已成为拥有全球客户拓展能力的中高端半导体装备生产制造商，业务范围覆盖全球40个国家及地区，累计超过500个全球客户。
来源：芯东西
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