比利时微电子研究中心公布五项集成电路制造最新成果

导读：12月3日，比利时微电子研究中心（Interuniversity Microelectronic Center，简称IMEC）在旧金山国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting，简称IEDM）上公布了五项集成电路制造领域的研究成果。

IMEC是引领全球的集成电路技术研发平台，其在IEDM上公布了五项最新研究成果，涉及自旋电子元器件、二硫化钨（WS2）的金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）薄膜制备、三维顺序集成（S3D）、自旋转移矩-磁性随机存储器（STT-MRAM）和环绕栅极晶体管（GAA MOSFET）。

1．自旋电子器件有望实现更低功耗和更高存储密度。

IMEC首次演示了基于自旋波干涉原理和磁畴壁传播原理的两种逻辑器件运算过程；

2．二维层状半导体材料WS2具有优异的理化特性。

IMEC首次在300 mm晶圆上采用MOCVD工艺实现了WS2薄膜生长，薄膜厚度达到0.7nm；

3．为进一步提高芯片上晶体管密度，IMEC首次使用S3D工艺在300 mm晶圆上堆叠制造了鳍式场效应晶体管（FinFET），鳍片间距达到45 nm；

5．为实现3 nm工艺节点，必须采用GAA MOSFET替代传统的FinFET。IMEC通过减小垂直距离和沟道空间，提高了硅基GAA架构晶体管的性能。

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