复旦大学开发二维材料巨量转移印刷技术

1月6日，据《Nature Electronics》期刊网站消息，复旦大学的研究团队开发了一种巨量转移印刷技术，实现了二维材料的高质量转移和高密度器件集成，推动了二维材料在电子器件中的应用。相关研究成果以“A mass transfer technology for high-density two-dimensional device integration”为题发表在《Nature Electronics》期刊上。

二维材料在晶体管、传感器、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。将大面积二维材料从其生长基底转移到新基底上是实现器件集成的关键步骤。然而，现有的转移技术兼顾转移尺寸、质量、精度和可靠性。对此，复旦大学的研究团队开发了一种新型巨量转移印刷技术，该技术利用带有精确排列微柱图案的聚二甲基硅氧烷印模，温和地转移晶圆级二维阵列，并堆叠成范德瓦尔斯异质结构。研究人员使用该技术单次转移了约2英寸的单层二硫化钼薄膜，该薄膜包含超过100万个阵列，每个阵列的横向尺寸为20×20μm²，密度为每平方厘米62500个阵列，转移产率高达99%。使用该技术制造不同架构（背栅、顶栅和底栅）二维场效应晶体管，产率高达97.9%（背栅场效应晶体管），且电学性能优秀（顶栅和底栅场效应晶体管）。总之，该技术为制造高质量微纳二维集成电路提供了全新方法，有望用于制造图像传感器像素电路和微发光二极管显示器驱动电路。

来源：报告中心供稿