元器件交易网讯 近日，高通发布了新一代快速充电技术—Qualcomm Quick Charge 3.0。该种解决方案的最大特点是在同类产品中首次采用了最佳电压智能协商算法（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）。
据高通介绍，Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%，而传统的移动终端充至同等电量大约需要一个半小时。高通表示，运用最佳电压智能协商算法（INOV）的Quick Charge 3.0可比上一代（Quick Charge 2.0）充电技术在效率上提高38%，同时还可帮助延长电池使用寿命。
与高通以往充电技术相比，Quick Charge 3.0在Quick Charge 2.0的基础上增强了灵活性，Quick Charge 3.0以200mV增量为一档，提供从3.6V到20V电压的多样选择。此外Quick Charge 3.0能与先前的版本前向和后向兼容，同时能够达到Quick Charge 3.0相同的充电速度，为OEM厂商选择提供了更多空间。
据了解，对比前两代充电技术，当与Qualcomm Technologies最新的、先进并联充电配置一同使用时，QuickCharge 3.0能够实现：
1、与Quick Charge 2.0相比，帮助提高快速充电速度最高达27%，或减少功率损耗最高达45%；
2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。
预计快速充电技术的最新演进将随Qualcomm骁龙820处理器面市，随着Quick Charge 3.0的正式推出，部分Qualcomm 骁龙处理器（包括骁龙820、620、618、617、430）将以选配形式提供，搭载这一技术的移动终端计划将于明年上市。
仅仅看了高通Quick Charge 3.0解决方案觉得并不过瘾？没关系，据相关人士介绍，未来将会有更多电子行业世界顶尖企业陆续登陆中关村智能智造创新中心，最新的元器件产品、成熟完善的解决方案都将在这里进行展示，诸多IC行业技术交流研讨会也会在这里定期举行。
欲了解中关村智能智造创新中心更多相关信息，可致电李经理：18611891246
Email：lilingqang@cecb2b.com
相关内容也可扫描二维码：
长按识别二维码