随着5G基站的加快建设，以及数据中心的规模不断扩大，配套的电源需求量迅速增长，与MOSFET搭配使用的功率驱动芯片用量也随之增大。半桥驱动芯片适用多种拓扑结构，被广泛用于通讯基站、数据中心及工业领域。茂睿芯科技的核心团队在通信和工业领域具备国际一流的模拟芯片开发经验，近期公司正式发布具有自主知识产权的国内首款120V耐压4A驱动电流的半桥MOSFET门极驱动芯片MD18211。至此，茂睿芯的超高速驱动芯片技术平台完全成熟，在此平台上已开发出：业界超快(关断延时10ns)的115V CCM 同步整流控制器MK1808； 双通道低侧5A驱动芯片MD18624（10ns延迟，支持双通道并联使用防直通功能）以及此次发布的120V耐压半桥驱动芯片MD18211。此外，茂睿芯功率驱动芯片还会推出更多的创新产品，敬请期待。
基于半桥（2个MOSFET串联）架构，MD18211可以应用在多种拓扑中：BUCK，BOOST，4开关BUCK-BOOST，硬开关半桥，硬开关全桥，全桥整流，中低压LLC，无刷直流电机（BLDC）驱动，步进电机驱动等。下图为典型的数据中心电源（DC输入）应用示意图：
MD18211内部集成大电流快恢复二极管(VDD引脚至HB引脚，如下图所示)，客户无需搭配额外的120V二极管，降低PCB布板难度和系统整体成本。
4A驱动电流加快MOSFET开关速度，降低MOSFET开关损耗，提升系统整体效率，且支持多MOSFET并联使用的场景。也可外置电阻调节驱动电流，以适用不同MOSFET。
MD18211引脚兼容国际领先产品：UCx27x01A，UCx27x11A，Lx51x1A，Mx19x5，客户可以直接替换使用。
针对通讯和工业领域的客户痛点，MD18211具有业界领先的抗负压能力：半桥中心点引脚耐负压（-18V@100ns），输入引脚耐负压(-10Vdc)，而且所有电气参数满足宽温度范围（-40℃至140℃）。驱动电流能力，二极管反向恢复时间，开关延时，最小输入脉宽等关键电气参数均优于同类产品。
通讯和工业领域的部分系统在实际应用中环境恶劣（高低温范围宽，电磁干扰大，无法快速维护等），需要系统不间断工作十年或以上，因此对驱动芯片可靠性有着极高的要求。
MD18211不仅通过完整的JEDEC可靠性标准测试，而且通过严酷的系统可靠性测试。
MD18211凭借其优异的性能和高可靠性，已经被多家通讯、工业客户验证测试通过。
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茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家高性能模拟和混合信号集成电路设计、研发、销售与技术服务公司，总部设在深圳市蛇口深圳自贸中心（水湾1979大厦），在美国、上海、西安分别设有办事处。公司核心成员均具有欧美及国内一流半导体公司的丰富工作经验，尤其在通信、工业、以及消费类电源及驱动IC等市场业绩卓著。
