临界尺寸（CD）的减小通常会提高图案的分辨率和芯片的性能。在芯片制造中，电子束光刻（EBL）是一种很有前途的制备亚10纳米图案的技术，其成像分辨率主要由光刻胶配方决定。然而，较小的临界尺寸主要是通过优化工艺条件来实现的，例如光刻胶配方优化调整，而此过程需要大量的时间和高昂的成本，特别是电子束光刻技术。
就此，华睿芯材（无锡）科技有限公司 技术发明人股东、首席科学家 清华大学何向明研究员、徐宏副教授，清华大学博士后、华睿芯材高级研发经理 王晓琳博士等在《Nanoscale》上，报告了利用机器学习长短期记忆 (LSTM) 网络与实测数据相结合，建立了CD光刻胶评估模型，从而大幅提升光刻胶配方筛选效率，及预估光刻胶测试条件。
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