2015年FDSOI论坛于9月15日在上海卓美亚喜玛拉雅酒店成功举办，本次论坛在上海举办显示了FDSOI技术对中国市场的高度重视。FDSOI技术相比FINFET技术具有明显的优势，22纳米FDSOI可以实现14纳米FINFET的性能，但是生产成本只相当于28纳米的CMOS。本次会议的主要核心问题集中在三个方面：1）谁将为FDSOI定制一整套IP？2）FDSOI产品设计的资金门槛是多少？3）FDSOI在22纳米之后的技术路线图是什么？
GlobalFoundries公司的首席执行官Sanjay Jha发表了主题演讲，讲述了FDSOI工艺的各种优势，尤其是它具有极低的漏电流，极低的动态和静态功耗，以及低至0.4V的工作电压等。
PDF Solutions公司首席科学家Andrzej Strojwas做了题目为“低变异版图解决方案以实现FD-SOI技术的经济效益的最大化”的主题演讲，介绍了如何通过优化版图设计以减小由设计图案的不合理带来的工艺变异，从而提高产品良率并获得最大的经济效益。
图1：PDF Solutions公司首席科学家Andrzej Strojwas发表演讲
PDF Solutions公司首席执行官John Kibarian等7位嘉宾共同出席了当天下午的“Design for FD-SOI”座谈会，会上John Kibarian对FDSOI技术表达了高度的赞赏：“FDSOI技术的出现就像是一个新的不同类型的汽车，本质上它的巨大优势来自于它是更简单的一辆车，体现在零部件数量和机械系统。从客户的角度看，这辆新车获得了很高的评分，但我们看到的是它本质上是因为技术更简单，因此表现更好。这样就强化了IC设计者的信心，因为他们也看到了这是一个更简单而且更好的技术，因此也是非常具有潜力的技术。FINFET技术具有更多的工艺步骤，因此也会带来更多的变异性，而FDSOI工艺步骤更简单，因此更具有优势。我们的客户通过与我们合作来加强他们对技术的理解深度，每个客户一开始都会问我们这个新技术如何，但是只有当客户与我们深入合作以后，他们才能深入的去解读这项技术的各种数据，从而对新技术具有更大的信心。”
图2：PDF Solutions公司首席执行官John Kibarian（左三）参加座谈会
图片嘉宾由左到右:Junko Yoshida, EE Times; Wayne Dai, Verisilicon CEO; John Kibarian, CEO, PDF Solutions; Francois Martin, seniordirector at STMicroelectronics; Subramani Kengeri, VP at Globalfoundries;Shaojun Wei, president of CSIA; and Dingzhong Xiao, chief engineer at FiberHomeMicroelectronics
关于FDSOI技术的介绍（来源：意法半导体官方网站）
过去10年间，为了提升性能、降低功耗、优化数字器件和增强用户体验，晶体管 – 数字世界的构建模块 – 的尺寸不断缩小。 近年来，随着晶体管的尺寸缩至几十纳米以下，开发每一代新技术时面临的挑战也日益增加。主要挑战之一一直都是不良漏电流，而这现在代表着晶体管功耗的一大部分。 接近体硅技术的极限 为了在继续提供高性能的同时将泄漏降至最低，体硅晶体管变得越来越复杂，从而以越来越快的速度增加了制造挑战的水平。必须不断找到真正的创新型解决方案才能提供各项技术进步的所有优势。 FD-SOI创新 2012年，意法半导体及其合作伙伴实现了硅制程创新：全耗尽体上硅即FD-SOI。FD-SOI是一种平面制程，缩小了硅片尺寸，同时简化了生产工艺。 |
| FD-SOI依赖两大创新：首先，绝缘体的超薄层，亦即埋氧，其位于超薄通道 – 第二大创新 – 的正下方。该通道不同于传统工艺中的传导通道，因为它不含掺杂剂，故而它被完全耗尽。这2大创新相结合即构成“超薄体埋氧层”即UTBB。 FD-SOI提升了性能 FD-SOI晶体管可以在比利用体效应CMOS制造而成的等效晶体管的最高频率高30%的频率下运行，从而能够构建速度更快的处理器。这一性能是通过改善晶体管的静电特性和缩短通道长度实现的。此外，超薄绝缘层能够预防基板内的任何泄漏，实现了更有效的体偏置，并且利用2个独立栅 – 顶栅和埋栅 – 提供了理想的通道控制。 |
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FD-SOI能够降低器件发热量 FD-SOI晶体管可以在低压下极快速地运行，从而大幅提高了能效。埋氧层能够有效限制从源极流向漏极的电子，从而极大减少从通道流向基板的漏电流。FD-SOI大幅节约了功率，让FD-SOI芯片的发热量比体硅晶体管少得多。 FD-SOI利用平面工艺和设计确保了连续性 FD-SOI制程还比替代产品简单得多，能够大量利用现有代工设施和制造工艺，无需投入大量资金。 并且，FD-SOI技术属于平面技术，采用与体效应平面技术相同的设计规则，从而能够极为简单和快速地将现有设计移植到FD-SOI上。 FD-SOI是一项可升级技术 28nm平面UTBB FD-SOI技术已用于生产。14nm节点已在开发之中，FD-SOI可升级至10nm节点。 |