摩根大通（JPM）引用Gartner数据，判断eSSD的普及速度将远超市场预期，同时基于AI带来的容量需求激增，认为当前的存储器上行周期将是“史上最长、最强劲的一次”。
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JPM模型显示，eSSD的TAM有望在2025年超越商业关键型和近线型HDD，并在2027年达到HDD的两倍左右，即便届时eSSD价格仍是HDD的6至8倍。此外，JPM预计到2027年，全球内存和存储器总TAM将达到约4200亿美元，按照3.5倍的销售市盈率推算，该板块总市值将达1.5万亿美元，意味着当前仍有超过50%的潜在上行空间。
这一判断的核心驱动力来自AI对存储器容量的结构性需求拉动：AI服务器的SSD配置是普通服务器的约3倍，且AI推理（Inference）消耗的内存容量是训练（Training）的约3倍。在供应侧，JPM认为即使有新建晶圆厂投产，HBM对产能的挤占将持续到2027年，因为云服务提供商（CSP）对英伟达（$NVDA）GPU和定制ASIC的需求持续迫使DRAM制造商将晶圆转投HBM生产。JPM具体预测，HBM占DRAM总产能的比重将从2025年的19%上升至2027年的28%，并预警可能出现8%至12%的供应缺口，这一紧张局面或持续到2028年。
基于供需的强劲支撑，JPM对价格给出明确指引，预计2026财年DRAM的ASP将上涨53%，NAND闪存ASP将上涨30%。这些数据共同指向一个明确信号：存储器超级周期正处于加速阶段，考虑到AI推理需求的持续性和HBM对传统产能的固化挤占，存储器厂商的营收和利润在未来一年半内将持续获得强劲支撑，价格上涨趋势确立。
高盛评论：DRAM供需结构全面趋紧，2026全年HBM定调
行业普遍预期2026全年内存（DRAM）供给增长仍显克制，需求持续显著跑赢供给，是本轮周期最大的结构性红利。
高盛最新DRAM报告指出，HBM与传统DRAM需求均超预期，HBM方面大部分供应商的2026全年产能与定价谈判已有效完成。而传统DRAM近端供需更为紧张，部分厂商甚至预计2026年全年每个季度价格都将出现两位数百分比的环比上涨（QoQ）。
HBM扩产受制于可用的洁净室空间短缺，限制了全行业产能释放。供应商正加速导入WFE设备至晶圆厂（如M15X等）以提升HBM供给，但报告未显示有厂商计划将HBM产线转回传统DRAM或NAND产线转DRAM，这表明厂商的核心战略资源仍集中于最大化HBM产出和收益。虽然受HBM3E价格下滑预期影响，HBM混合平均售价（ASP）将在26年上半年小幅回落，但整体毛利率预计全年持续扩张。
2026年DRAM供需两端的结构性失衡已明确锁定，HBM ASP的阶段性调整不改其全年利润扩张趋势。传统DRAM的超预期涨价信号是对近端供给极度紧张的直接反馈，预计短期内传统DRAM的现货和合约价将继续强势上行。
本轮NAND供给紧张并非单纯产能不足，而是战略性资源重新分配的结果，三星传闻中将NAND产线转向DRAM的举措，已进一步确认DRAM/HBM才是三大厂的核心战略重点。
三星方面否认了关于暂停消费级SATA III SSD生产的计划，但市场消息指其已开始缩减SATA SSD产量，并预期将在明年年初完全淘汰。同时，有报告指出三星正在将平泽（Pyeongtaek）和华城（Hwaseong）的部分NAND Flash产线转向DRAM，且计划中的P4厂将专门用于最新的1c工艺DRAM生产。
TrendForce分析称，当前的NAND市场吃紧是供应商“蓄意”将产能和价值转向AI及数据中心需求的结果，这使得低毛利的消费市场可用资源受限，受影响产品集中在标准SATA III SSD。这种战略倾斜导致了模组厂和小型品牌商面临供给和定价压力，例如群联（Transcend）已反馈被主要供应商削减了Q4 NAND分配。
NAND价格和供需压力预计将持续至2026年底，而终端市场的严重短缺和急剧涨价趋势也将至少延续3-5个月。这明确了在AI驱动下，厂商对高附加值DRAM/HBM的极致追逐，NAND闪存的战略优先级被置于次要地位，行业利润重心的转移加速了传统低端产品线的退出或收缩。
随着AI数据中心投资激增，用于AI半导体PCB的核心基材——电路箔（Circuit Foil）预计将面临持续的严重供应紧缺。
日本三井矿业（Mitsui Mining & Smelting）在AI电路箔市场中占据超过90%的绝对市场份额，其核心竞争力在于能够稳定量产2-5微米超薄、高平滑度、高粘合度的HVLP4级电路箔，这是AI加速器基板信号完整性、良率与稳定性的关键瓶颈。市场研究机构预测，AI电路箔需求将在2027年超出供应10%，且市场规模将从2025年的1.5万吨快速增长至2030年的5.4万吨。
这凸显了AI价值链中，PCB所需的电路箔等非传统半导体材料供应正成为新的约束条件，其定价权极强，AI用电路箔价格是通用铜箔的十倍以上。由于AI基板对信号完整性要求极高，替代三井产品的难度大，显示出其在材料科学和大规模量产能力上的技术护城河。韩国乐天能源材料（Lotte Energy Materials）正加速产线转换，计划将产能从次级电池用铜箔转向半导体电路箔，并预计到2028年产能扩充至当前水平的5.7倍。
下游客户已开始寻求供应链多元化，英伟达AI加速器CCL供应商Doosan已向乐天寻求供货，同时乐天已向松下和两家台湾公司送样，显示出产业链对单一供应商垄断的高度警惕。短期来看，电路箔的紧缺将继续限制AI加速器PCB厂商的扩产节奏，高昂的原材料成本可能传导至AI芯片的整体成本。
SK海力士加速推进HBM产能扩张，主力DRAM厂M15X二期洁净室已进入Hook-up设计阶段，同时M8 P&T6先进封装厂也进入收尾期，计划未来数月内投产。
M15X一期已提前两个月（去年10月）开始设备搬入，主要生产HBM3E/4所需的1b DRAM Core Dies，目标产能3.5万片/月。二期Hook-up设计启动，意味着超20万亿韩元的投资正提速兑现，行业预计M15X总产能规模将攀升至5.5万至6万片/月，且有传闻将部分引入1c DRAM产线。
M15X二期产线提前就位，以及M8 P&T6（前身是系统IC厂房）被改造为专注于HBM TSV和垂直堆叠等先进封装的专用工厂，清楚表明SK海力士正在同步解决前道（Core Die制造）和后道（先进封装）两大HBM供应瓶颈。P&T6先进封装产能的快速部署，是确保M15X产出的大量1b核心裸片能够有效转化为HBM最终产品的关键，体现了对HBM整个价值链产能匹配度的重视。
鉴于SK海力士在HBM领域的领先地位，M15X/P&T6的双线加速是保障其市场份额、满足头部客户强劲需求的必要举措。此举将进一步巩固公司在2025年HBM供货中的领先地位，并提升其满足AI客户对先进DRAM产品多元化需求的能力，预计M8 P&T6将在短期内成为新的HBM封装能力交付点。
三星电子代工事业部（Foundry）凭借其8nm成熟节点，在赢得NVIDIA游戏主机GPU订单后，再次接近锁定Intel的CPU配套芯片（PCH）制造订单。
三星代工正处于量产Intel PCH芯片的最终阶段，预计明年启动全面生产，该PCH芯片制程已从14nm迁移至8nm，未来将在韩国华城产线生产。此前，三星已通过8nm节点获得任天堂Switch 2 GPU的订单，并收到英伟达追加低端8nm GPU的生产需求。
在8nm这一被视为成熟节点上连续拿下两大客户订单，表明市场对三星该工艺的良率、成本及可靠性达到高度认可，尤其是Intel将核心CPU伴侣芯片交予三星代工。目前三星8nm产能约为3万至4万片/月（占总代工产能约9%），订单涌入带动对光掩膜（Photomask）等核心材料的需求激增，相关订单额预计从去年的2000亿韩元增长至今年超3000亿韩元。
成熟节点的成功是代工业务的基本盘，其带来的工艺成熟度及成本优化经验，有助于提升客户对三星先进节点的信心。短期内，8nm节点的产能利用率将保持高位，并为韩国本土材料、零部件及设备供应商带来切实的利好效应。
SK海力士与三星电子已向英伟达下一代Rubin加速器交付付费HBM4最终样品，标志着HBM4的供货竞赛已进入定约前的商业化冲刺阶段，供应商排位战趋于明朗。
两大供应商已开始向英伟达交付第六代高带宽内存（HBM4）的付费最终样品，用于Rubin AI加速器的品质认证，这是合同敲定前的最后阶段。SK海力士确认其HBM4量产系统到位，正进行微调，并提供了约2万至3万片最终样品。三星则利用内部4nm代工制程和先进DRAM技术优势，实现了对HBM3E挫折的反弹，其HBM4已获博通等客户积极反馈。业内预计，HBM4的最终产量和价格将在2026年第一季度确定。
付费样品交付的信号意义极强，表明两家厂商的产品性能均已通过初步验证，竞争焦点已从早期的技术展示转向量产良率和成本。SK海力士凭借先发优势和显著的样品交付数量，有望保持最大供应商地位；而三星则通过利用其在4nm DRAM制造上的垂直整合能力快速追赶，目标锁定第二大供货商位置，以期扭转HBM3E认证延迟的不利局面。美光虽已满足规格并交付样品，但预计仍将位列第三。
HBM4的供应格局趋向稳固，供应商排位基本确立，有利于英伟达实现供应链多元化。短期来看，主要供应商的资本开支重心将围绕HBM4所需的前道（1c/4nm DRAM）和后道（TSV先进封装）产能展开；两大厂商将在2026年一季度进入最后的资格认证冲刺，此结果将直接决定未来数年内各自HBM业务的收入份额和利润率水平。
韩国政府宣布投入高达700万亿韩元（约合5340亿美元）的巨额资金，巩固半导体产业长期主导地位，将龙仁集群扩大为全球AI创新中心。
在2030至2032年前，分别投入1.2676万亿韩元于AI专用芯片，3606亿韩元于先进封装，以及2601亿韩元于化合物半导体（SiC/GaN/Ga₂O₃）开发。存储器领域，计划在2032年前投资2159亿韩元用于下一代存储器技术研发。
全球芯片竞争焦点正从传统DRAM/NAND制造转向系统半导体、AI芯片、先进封装和新型材料。700万亿韩元的规模和长期性，同时解决短期内AI繁荣带来的先进封装瓶颈，以及面向未来10-20年能源、5G及汽车应用所需的化合物半导体（如SiC/GaN）的材料主权问题。SK Keyfoundry收购SK Powertech后正加速SiC功率半导体的开发，计划在2026年上半年运营SiC代工厂；PowerCubeSemi等公司在超宽禁带半导体Ga₂O₃上的突破，显示出该国已在关键材料领域形成强有力的生态配套。
国家级投资侧重于系统和材料端，对存储三巨头（三星、SK海力士）的HBM等核心业务构成长期系统性支持，尤其在下一代DRAM和先进封装领域。短期内，大规模资金的涌入将加速相关设备、材料和零部件生态的成熟，有望进一步提升韩国在全球AI芯片生态中的竞争力，带动本土化合物半导体代工厂（如SiC）在新能源市场的份额扩张。
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