位错是晶体中线缺陷的一种，也是 CM-Si 中最常见的缺陷。位错的存在不仅会使得晶体中晶格产生畸变，使得晶体中出现应力场，而且会在禁带中，引入易与少子复合的能级，使得复合活性增加，少子寿命减少，严重影响太阳电池效率。并且由于位错的带电特性，位错本身不仅会形成复合中心，而且其结构可以吸附同样带电的金属杂质，也可形成深能级复合中心，对晶体的少数载流子寿命和太阳电池效率产生影响。下图 1.10 为少数载流子寿命与位错密度的关系图。由图可见，当晶体硅中的位错密度达到 105cm2时，少数载流子寿命呈指数型下降，因此，CM-Si 中位错的控制十分重要。
籽晶中的初始缺陷是位错产生的主要区域。由于 CM-Si 生长中引晶使用的籽晶是由 CZSi所得，因此在石英底部铺设的籽晶必须以拼接方式存在。拼接籽晶间的原子错排，会导致初始位错的产生。从籽晶处产生的位错在生长过程中，无晶界阻挡吸收，一旦产生便会不断增殖。因此针对籽晶中位错生成的研究及控制具有重要意义。如图 1.11 所示，根据研究[22知，除去热冲击引起的位错，CM-Si中的位错产生机理有以下三种产生方式。
(1)由于方形籽晶加工为机械切割，表面存在的切割损伤可能导致初始位错的产生。CM-Si中的籽晶表面存在的切割损伤层是一种原子错排的体现，这也是原始缺陷的一种。此外，当籽晶达到接近熔融温度时，为使能量达到最小化，位错可能会从表面区域移开，并在晶胞结构中重新排列，从而在生成晶体中形成初始位错。且研究知 900C以上时，即使表面上的细小划痕也会使得位错生成。
(2)由于 CM-Si底部铺设的籽晶以拼接的方式存在，在籽晶拼缝处，从两个粗糙表面出生长晶体，存在初始原子错排。即使对籽晶侧面进行处理，两个籽晶侧面晶向也存在略微的晶界差，并且在相邻籽晶的角度差小于 0.02°时，也能在拼接缝处观察到位错的产生。当晶体硅凝固后，体积增大，两籽晶间的拼缝处会发生塑性变形，这同样会导致初始位错的产生。
(3)坩埚及籽晶之间的压痕会导致底部形成位错。但是，由于籽晶底表面晶体未熔化，位错很少发生位移，不易传导到晶体硅中，可忽略其位错的影响。
