近日，宁夏申和新材料科技有限公司最近申请了一项名为“降低单晶硅棒纵向氧含量的拉晶方法”的专利。这项新技术的公开号为CN119615354A，申请日期为2024年12月，标志着公司在单晶硅技术领域的重要突破。
该专利的核心在于通过创新的拉晶工序，显著降低单晶硅棒尾部的氧含量，提升了产品的品质与稳定性。根据专利的摘要，此方法包括等径前期工序、等径中期工序和等径后期工序。其中，等径中期工序又细分为第一等径中期和第二等径中期。通过严格控制晶棒拉制过程中的埚转、晶转、炉压及氩气流量等关键参数，该方法确保了晶体生长的稳定性与均匀性，尤其在降低尾部氧含量方面取得了显著效果。
具体而言，在等径前期和第一等径中期中，保持了液面平稳；在第二等径中期中，炉压逐渐降低，进一步保证了晶体的生长质量；而在等径后期工序中，适度增大氩气流量以确保更佳的气氛环境，从而有效减少材料中的氧含量。
宁夏申和新材料科技有限公司成立于2011年，位于银川市，主要从事电气机械和器材的制造，注册资本31950万元，近年来致力于技术创新和市场拓展。目前，该公司已参与招投标项目2次，拥有61项专利和11个行政许可，显示出其在新材料领域的活力与潜力。
晚宴组织
联合主办单位：浙江亿值旺新材料科技有限公司
协办单位：征集中...
承办单位：北京材能时代数字科技有限公司
时间安排：2025年3月25日 15:00-21:00
会议议题
●碳化硅（SiC）晶体生长中的高温工艺优化
●氮化镓（GaN）的异质外延生长挑战与解决方案
●第三代半导体晶体生长设备的关键技术创新
●第三代半导体晶体生长的杂质控制与掺杂技术
报名须知
本次晚宴面向半导体材料、设备企业从业人员无偿免费开放（同公司限2名参加）。
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