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由成都方大炭炭复合材料股份有限公司联合材能时代主办的2025年第二届第三代半导体晶体生长技术研讨会定于7月9-11日在四川成都召开。本次研讨会旨在汇聚产学研多方力量,围绕晶体生长技术难题、设备研发、检测工艺等展开交流,促进技术创新成果转化,提升晶体生长良率、降低成本,推动第三代半导体产业协同发展 。欢迎大家报名参会参展!
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会议亮点:
1、面向半导体衬底、外延企业、光伏单晶多晶企业免费参加!同企业限两个免费参会名额!
2、报名交二送一,4000元享三人参会!
3、缴纳三人参会费送C区展位一个!2、3活动二选一,不可同时享受
4、11日下午参观成都炭材,限一百人大家抓紧报名!
自然界中天然单晶极为稀缺,多数仅为毫米级,如钻石、祖母绿等珍贵晶体通常仅作为博物馆藏品,难以应用于工业领域。而半导体、光学等工业领域所需的单晶(如单晶硅、蓝宝石、碳化硅等),其规模化生产能力已成为国家工业实力与科技竞争力的重要象征。工业界对单晶的核心需求是大尺寸化,因其能显著降低材料成本与加工损耗。以下为当前市场主流工业单晶的技术特点与产业现状:
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蓝宝石单晶:耐高温透光的工业基石
蓝宝石单晶的化学成分为 α-Al₂O₃,属于六方晶系晶体,具备以下核心优势:
- 物理特性
莫氏硬度 9(仅次于金刚石),耐酸、碱腐蚀,可在高温环境下稳定工作,且具有优异的透光性(覆盖紫外到红外波段)、热传导性与电气绝缘性。
- 晶体改性
纯净 α-Al₂O₃为无色透明,若 Al³⁺被 Ti⁴⁺和 Fe²⁺取代则呈蓝色(蓝宝石),被 Cr³⁺取代则呈红色(红宝石),但工业级蓝宝石均为无杂质单晶。 - 工业应用形态
通常加工为 400-700 μm 厚度、4-8 英寸的晶圆,由晶锭切割而成。2018 年,内蒙古晶环电子打破国际纪录,成功生长出450 公斤级超大尺寸蓝宝石晶体,其外形规整、无裂纹晶界,气泡含量极低(此前国际最大为俄罗斯 350 公斤晶体)。
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单晶硅:芯片制造的 “黄金材料”
- 纯度与结构要求
集成电路用单晶硅纯度达 9-11 个 “9”(99.9999999%~99.999999999%),420 公斤级硅单晶棒需保持近乎完美的原子排列,其制备难度远超天然钻石(自然界一克拉钻石已属罕见)。
- 市场格局
全球市场高度集中,日本信越(28.0%)、胜高(21.9%)、台湾环球晶圆(15.1%)、韩国 SK Siltron(11.6%)、德国 Siltronic(11.3%)五大厂商占据主导地位。中国大陆龙头沪硅产业虽市场份额仅 2.3%,但 2024 年已启动 132 亿元投资,建设 300mm(12 英寸)硅片产能升级项目,追赶国际主流。 - 技术迭代
芯片制造正从 8 英寸晶圆向 12 英寸转型,台积电、格芯等国际代工厂已普及 12 英寸工艺,而国内中芯国际仍以 6 英寸为主。目前全球仅日本 SUMON 可生产高纯 12 英寸晶圆衬底。
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砷化镓:高频半导体的核心材料
砷化镓(GaAs)是微波射频、光电子器件的关键衬底材料,其晶圆尺寸与制备技术如下:
- 尺寸规格
常见尺寸为 2-12 英寸,其中 6 英寸应用最广。不同工艺的生长极限不同:HB 法最大 3 英寸,LEC 法可达 12 英寸(但设备成本高、晶体均匀性差、位错密度大),VGF 法与 VB 法可制备 8 英寸单晶,且晶体均匀性与位错控制更优。
- 市场垄断
4-6 英寸半绝缘砷化镓抛光片技术主要由日本住友电工、德国 Freiberger、美国 AXT 掌握,2015 年 6 英寸衬底已占市场 90% 以上。2019 年全球市场中,Freiberger 占 28%、住友电工占 21%、北京通美占 13%。
- 增长预期
据 Yole 测算,2019 年全球砷化镓衬底(折合 2 英寸)销量约 2000 万片,市场规模 2 亿美元;预计 2025 年销量超 3500 万片,规模达 3.48 亿美元,年复合增长率 9.67%。
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碳化硅单晶:第三代半导体的 “明日之星”
- 技术进展
目前市场已实现 2-3 英寸碳化硅单晶的规模化生产,国内多家企业已突破 4 英寸 4H 晶型单晶生长技术,达国际一流水平,但距商业化量产仍有差距。
- 成本瓶颈
液相法生长的 SiC 晶锭厚度仅厘米级,尺寸限制导致晶圆成本居高不下,是制约其大规模应用的关键因素。
工业单晶的大尺寸化与高纯化为技术核心,日本、美国、德国等企业在高端产品领域长期垄断,而中国企业正通过技术突破与产能扩张加速追赶,尤其是在蓝宝石、碳化硅等新兴领域已展现竞争力。未来,单晶材料的技术突破将直接推动半导体、新能源等战略产业的升级。
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