芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道是指晶圆制造厂的加工过程，在空白的硅片完成电路加工，出厂后依然是完整的圆形硅片。后道是指封装和测试过程，在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的晶粒，完成外壳的封装，最后完成终端测试，出厂为芯片成品。
芯片产出数量受晶圆大小、晶粒尺寸以及良率三个因素影响。接下来我们将从这三个方面简单聊聊。
一片wafer有多大？
晶圆，又称wafer, 其大小通常以直径来表示，常见的尺寸有1英寸(25毫米)、2英寸(51毫米)、3英寸(76毫米)、4英寸(100毫米)、4.9英寸(125毫米)、150毫米(5.9英寸，通常称为“6英寸”)、200毫米(7.9英寸，通常称为“8英寸”)、300毫米(11.8英寸，通常称为“12英寸”)和450毫米(17.7英寸) 。
什么是“Die”?
Die指的是芯片未封装前的晶粒，是从wafer上用激光切割而成的一个单独的晶圆区域，它包含了芯片的一个完整功能单元或一组相关功能单元。每个Die最终都切割成一个小方块并封装起来，成为我们常见的芯片。
DPW是Die Per Wafer的缩略词，用于表征单个晶圆上可切割晶粒的数量。晶圆可切割晶粒数(DPW)的计算是非常简单的，它的计算实际上是与圆周率π有密切的关联。
晶圆上的晶粒其实可以看作是圆形所能容纳下的所有方形的集合。所以，可切割晶粒数的计算就是利用圆周率和晶圆尺寸作为已知参数，确定出整体圆形区域能容量下的方形数量。
晶圆尺寸和晶粒尺寸虽然是已知的，但是，由于晶粒相互之间是有空隙（如预留的划道）的，晶圆的边缘去除区也不可用。这些因素使得计算变得稍微有点复杂和棘手。因此，把DPW(Die Per Wafer)工具的计算结果作为可切割晶粒估算值而非精确的计算值可能更准确一点。
除了前面提到的无效区域外，晶圆厂还会额外占用部分区域做测试(PCM结构)，相对而言也会占用晶圆一小部分面积。另外还有划道、晶圆裕量，以及因为各工序之间或晶圆厂之间要求不同而导致的测试结构大小不一致而浪费的区域。因此，如需精确的最终DPW数值应直接向晶圆厂询洽，他们具有更专业的方案提供DPW的准确数据。
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