基于钙钛矿量子点(QDs)的发光二极管(led)在窄带发射下产生了超过25%的外部量子效率(EQEs) 1,2，但这些led的工作寿命有限。我们假设钙钛矿QD薄膜中较差的长程有序——点尺寸、表面配体密度和点对点堆叠的变化——抑制了载流子注入，导致运行稳定性较差，因为在这些led中产生发射所需的大偏置。在这里，我们报告了一种化学处理来改善钙钛矿QD薄膜的长程顺序:来自重复QD单元的衍射强度比对照增加了三倍。我们使用一种协同的双配体方法来实现这一目标:一种富碘剂(氢碘苯胺)用于阴离子交换，一种化学反应剂(溴三甲基硅烷)产生一种强酸，这种强酸可以原位溶解较小的量子点以调节尺寸，并更有效地去除不导电的配体，从而实现致密、均匀和无缺陷的薄膜。这些薄膜具有高电导率(4 × 10−4 S m−1)，比对照高2.5倍，是迄今为止钙钛矿量子点中记录的最高电导率。高导电性确保了高效的电荷传输，使红色钙钛矿qd - led在2.8 V的创纪录低电压下产生1,000 cd m−2的亮度。此亮度下的EQE大于20%。此外，在EQEs超过20%的情况下，该操作装置的稳定性比以前的红色钙钛矿led好100倍。
文献来源:
https://doi.org/10.1038/s41586-024-07363-7
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