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“创客北京”大赛获奖项目中科纳通【无压烧结银】实现100%国产原料

“创客北京”大赛获奖项目中科纳通【无压烧结银】实现100%国产原料 北京中小企业服务平台
2025-12-01
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当下第三代半导体产业狂飙突进,氮化镓(GaN)作为核心王牌,在5G通信、新能源汽车、卫星互联网等战略领域不可或缺!光鲜背后,一场 “封装危机” 正制约中国第三代半导体产业突围。GaN射频器件高温(>200℃)、高功率工况下的互连稳定性,成了规模化应用的 “最后一道门槛”,而中国高端封装材料市场95%份额被海外巨头牢牢把持,国产化率不足5%。但是,海外全部垄断了烧结银核心原料银粉,“天价 、 慢供 、 弱服务”三重壁垒加上价格高昂,供货周期长以及技术支持响应迟缓,国内企业陷入 “想用用不起、想用等不及” 的困境。


大赛获奖项目中科纳通带来关键突破:其无压烧结银实现所有原料100% 国产,彻底摆脱进口依赖,从源头筑牢供应链安全!




● 对标国际性能,适配国内工艺

中科纳通带来的《国产烧结银在GaN射频器件封装中的可靠性评估与应用实践》主题演讲,直击行业痛点。其自主研发的烧结银材料,通过纳米银颗粒致密化技术,实现导热系数>260 W/m・K、剪切强度>40 MPa 的核心性能,关键指标比肩国际顶尖水平,完美匹配 GaN 器件的极端工作要求。


更懂国内企业痛点的是,中科纳通在工艺上实现针对性优化:降低烧结温度,缩短烧结时间,无需企业大规模改造现有生产线即可直接适配,大幅降低国产化替代的门槛和成本,破解了 “技术达标但落地困难” 的行业共性难题。


● 极端可靠性验证底气拉满

封装材料的可靠性,直接决定终端设备的寿命与稳定。中科纳通用三组硬核测试数据,证明国产材料的硬实力:

200℃高温连续老化1000小时,性能衰减不足5%,远优于海外产品 12%的衰减率;

 -40℃至 150℃冷热冲击循环,电阻变化率低于3%,满足行业10%的标准要求;

双85湿度湿热环境500小时后,性能保持率仍达 92%,无氧化腐蚀现象。


这意味着,这款国产烧结银不仅能在常规环境下稳定工作,在 5G 基站、新能源汽车等关键场景的极端工况中,同样能扛住考验,为终端产品筑牢保障。


●产业化落地,降本提质增效

实验室的突破不算成功,产业化落地才是核心底气。目前,中科纳通烧结银材料已成功与国内多家头部器件厂商达成深度合作,批量应用于5G基站GaN功率放大器封装,累计出货量突破上百万套。


从应用成效来看,合作企业实现“降本、提质、增效”三重飞跃:封装成本降低30%,产品寿命提升50%不良率从0.8%降至0.15%,实实在在的价值落地,让国产化替代不再是 “情怀” 而是 “刚需”。


2012年,中科纳通在京怀柔科学城起步,作为北京市 “专精特新” 与国家高新技术企业,始终带着为产业创造价值的初心,专注高分子导电材料研发,服务世界级客户。从导电浆料、导电胶到导电弹性体,均贴合电子信息、半导体封测、智能汽车等领域需求,与华为、高通等头部企业携手共进。更在多地搭建公司与实验室,以 “三好一快” 的用心服务回应客户期待。



来源:中科纳通







电话:82176996

地址:北京市东城区隆福寺街95号

钱粮胡同38号32幢6层C601-1

网站:www.smebj.cn

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