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研究内容
了解Ruddlesden - Popper二维金属卤化物杂化钙钛矿(2D HaPs)的亚带隙发光对于光电器件中有效的电荷注入和收集至关重要。尽管如此，关于自捕获激子的作用或通过缺陷态的辐射重组，它的起源仍在争论中。在这项研究中，我们表征了单晶、剥离层和多晶碘化铅丁铵(BA2PbI4)薄膜中的电荷分离、重组和输运。我们结合互补的缺陷和激子敏感方法，如光致发光(PL)光谱、调制和时间分辨表面光电压(SPV)光谱、恒定终态光电子产率光谱(CFSYS)和恒定光致磁输运(CLIMAT)，证明了激子解离引起的电荷分离与从缺陷态激发移动电荷载流子引起的电荷分离之间的显著差异。我们的研究结果表明，BA2PbI4和其他二维HaPs的宽亚带隙发射是由缺陷态(浅和中隙态)的辐射重组引起的，而不是由自捕获激子引起的。密度泛函理论(DFT)结果表明，常见的缺陷可以很容易地发生，并产生与实验结果很吻合的能量分布。DFT结果表明，碘间隙的形成是导致降解的初始过程，是导致中隙态出现的原因，缺陷工程将在未来增强2D HaPs的光电性能方面发挥关键作用。
文献来源:
https://doi.org/10.1021/jacs.4c06621
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数据结果
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