器件如何降低能耗、提升效率？三安集成即将公布最新进度- 大数跨境

行家说三代半

2020-12-09

导读：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）越发受到重视

第三代半导体在5G、新能源汽车、电动化出行以及节能减排等应用场景中的作用占比越来越重，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，甚至要达到更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。

因此，行业内以，运用它们制作的功率和射频器件是当下技术能够最大程度解决更高电压、更高工作频率、效率、温度等高要求的方案。

但怎样运用这些宽禁带器件降低能耗、提升效率，相信这是很多从业于第三代半导体的人员最为关心，也是影响最终应用端的一个重要因素。

2020年12月29日，在行家说于深圳举办的第三代半导体产业高峰论坛上，厦门市三安集成电路有限公司技术市场总监叶念慈将重磅分享《宽禁带器件在功率和射频市场应用》，敬请期待！

演讲人：

叶念慈

主题：

宽禁带器件在功率和射频市场应用

演讲亮点：

将分享三安集成的开发进度和成果，以及宽禁带半导体在微波射频、电力电子领域如何帮助应用降低能耗、提升效率。

嘉宾介绍

叶

叶叶念慈

电机工程博士，厦门市台湾特聘专家，厦门市三安集成电路有限公司技术市场总监，负责开发与建制三安集成氮化镓与碳化硅功率、射频集成电路。其在化合物半导体外延领域已有20 年以上从业经验，曾任台湾中央大学教授级技术人员，负责建立和运作先进电力电子实验室。曾任台湾地区专业氮化镓化合物半导体公司首席技术与研发管理岗位，共获国内外发明专利17 项，发表国际期刊论文70 余篇。

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