5月份，三菱建设了氮化镓单晶试验线（.点这里.）。最近，他们宣布已经成功生长了4英寸氮化镓单晶。
这有2个意义：
▲三菱采用的是液相法，这种方法生长氮化镓单晶，有助于大幅降低成本。
▲三菱的生长设备更大，一次可生产数百片，产量增大也有助于降低成本。
据“日本经济新闻”报道，11月19日，日本制钢所和三菱化学宣布，他们新建的GaN单晶实验线确认成功生长了4英寸氮化镓晶体，预计2022年度开始市场供应。
三菱表示，这个试验线采用了全球最大的GaN单晶制造试验设备，如下图所示。这次成功生长4英寸氮化镓单晶后，他们就可以基于这些大型设备，建设大规模的量产线。
其次，这条生产线采用了三菱的低成本制造技术“SCAAT-LP”来生产GaN单晶。SCAAT-LP是一种独特的液相生长方法，好处是可制造大直径、高质量和低成本的GaN单晶。
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据了解，2017年三菱化学采用液相法制作了高质量的2英寸GaN衬底，将平均缺陷密度减少到以往产品的数百分之一。
GaN单晶生长方法包括HVPE、酸性氨热法（SCAAT）和钠通量法。据了解，该工艺的晶体生产压力条件相对较低，约为100MPa，大约是SCAAT工艺的一半左右。
公告表示，他们的试验线为两家公司建立了稳定的GaN衬底供应，也有助于开发6英寸氮化镓单晶。
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