前段时间，烁科成功研发了8吋碳化硅晶体（.点这里.），昨天，国内又有研究机构实现8英寸突破。
4月25日，中国科学院物理研究所官网发布消息称，他们成功研制出了单一4H晶型的8英寸SiC 晶体。
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中科院物理所表示，其8吋碳化硅单晶的晶体直径达210mm，晶坯厚度接近19.6 mm；此外，还加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片。
8英寸SiC晶体和晶片照片
据介绍，从2000年至2005年，该团队研究的SiC晶体直径从小于10毫米不断增大到2英寸。2006年，该团队在国内率先开展了SiC单晶的产业化，成功将研究成果在北京天科合达半导体股份有限公司转化，通过产学研结合，于2006年研制出了4英寸和6英寸SiC单晶。
自2017年开始，他们持续攻关，逐步击破了8英寸SiC晶体生长的难点。
● 其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题；
2017年，他们掌握了8英寸生长室温场分布和高温气相输运特点，以6英寸SiC为籽晶，设计了有利于SiC扩径生长的装置，解决了扩径生长过程中籽晶边缘多晶形核问题；设计了新型生长装置，提高了原料输运效率；通过多次迭代，逐步扩大SiC晶体的尺寸；通过改进退火工艺，减小了晶体中的应力从而抑制了晶体开裂。
2021年10月该团队已经在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。
近期，该团队通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，最终研制出8英寸SiC晶体和晶片，并通过了相关检测。
Raman散射图谱和X射线摇摆曲线测试结果表明生长的8英寸SiC为4H晶型
8英寸SiC导电单晶研制成功是中科院物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展。研发成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半导体产业的快速发展。
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