前两天，“行家说三代半”介绍了国企“中电科集团”的碳化硅布局（.点这里.）。除了碳化硅领域，中电科集团在氮化镓方面也是国内的领头羊。
近日，中电科55所的国博电子公布了的氮化镓项目新进展——项目投资近27亿，年产能2000万只，今天刚刚通过验收，详情接着往下看。
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来源：《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，参编可点击文末“阅读原文”。
据国基南方官微消息，今天（8月26日），南京国博电子主导的“面向5G应用的GaN芯片及模块研发及产业化”项目顺利通过验收。
经专家组评定表示，该项目验收资料齐全，产品技术指标达到合同要求，项目产业化建设达到预期目标，项目经费收支符合相关规定，项目完成全部合同考核指标，同意通过验收。
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据悉，该项目目前已配置了多台套GaN芯片及模块射频/DC测试系统、可靠性试验设备和自动封装设备，项目投产后将年产2000万只GaN芯片和模块。
此前，据“行家说三代半”报道，国博电子于2021年9月募集26.75亿元资金，用于“射频芯片和组件产业化”项目建设，而此次通过验收的就是该项目的重要一环。
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2018年，55所在南京江宁开发区启动了“射频集成电路产业化”建设项目，总投资超过30亿元，由国博电子负责该项目的建设和运营。
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该项目将针对5G及新一代移动通信应用的射频集成电路，进行覆盖设计、芯片制造和封测的全产业链建设。建成后，将形成6英寸工艺氮化镓（GaN）射频功率器件6万片、射频基础电路5亿只、射频模块1000万只的设计制造能力。
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“行家说三代半”通过南京江宁区科学技术局等官方消息发现，2021年该项目计划投资15亿元，目标是一期厂房主体封顶，部分设备订购。 今年2月该项目部分厂房主体已经封顶，预计今年年底正式投产。
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国博电子成立于2000年11月，是中电科55所下属控股公司。国博电子的直接控股股东为国基南方，持有公司39.81%的股份，中国电科通过国基南方、中国电科五十五所和中电科投资间接控制公司61.62%的股份，为公司实际控制人。
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2021年9月，上交所受理了南京国博电子股份有限公司的科创板上市申请；今年7月22日，国博电子正式在科创板上市，发行4001万股，募资总额为28.35亿元。
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