5月18日，全球第一大半导体硅片厂商信越化学（Shin-Etsu Chemical）官网宣布，他们将扩大其GaN量产系统，加速氮化镓外延生长衬底的商业化。
信越表示，他们在2019年与美国Qromis开展了第一次合作，双方就制造 GaN 衬底材料的专利 Qromis Substrate Technology (QST™) 签订了许可协议。信越负责生产QST衬底和GaN-on-QST外延晶片，并借助QST补充其现有的GaN-on-Si产品阵容。
而在信越此次的扩产中，它将与Qromis继续展开深入合作，通过其专有技术改进6吋和8吋的 QST衬底供应系统，要将产量翻倍，以满足市场快速增长的需求。
根据Qromis的文件介绍，他们已经发布了6英寸和8英寸的QST衬底，以及具有5微米和10微米GaN层的“模板”，产品良率为90%。
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“三代半风向”此前报道过，比利时研究实验室imec开发了1200V的氮化镓技术，硬击穿超过1800V，该成果的实现就是基于Qromis公司的200mm QST®衬底。
信越化学成立于1926年，其半导体硅片市场份额常年位居全球第一。旗下两个生产半导体硅片的子公司Shin-Etu Handotai与Sanken Electric 拥有着关于GaN 外延生长技术方面的专业知识。
信越还表示，在未来将持续推出大直径相关产品，包括300mm（12吋） 直径的GaN产品，为实现节能、可持续发展的社会做出贡献。
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行家说三代半