11月2日，航天科工微电子系统研究院有限公司开始对外公示了《基于高功率GaN的毫米波微系统研制及小批量生产保障条件建设项目》的竣工环境保护验收报告。
根据报告，该氮化镓项目是由航天科工建设，总投资7390万元，建设面积为3577.31平方米，建设地点为四川省成都市天府新区。
早在2020年8月，该氮化镓项目就开始建设，现已于今年6月建成，建成后将投入试生产。
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目前，该氮化镓项目已经形成了GaN晶圆后道处理、高精度微组装、检测、可靠性评估等关键工艺能力，以及高功率 GaN 器件、模组、基于高功率GaN的毫米波微系统的研制能力，具备芯片后道处理和测试8万只/年，基于GaN的大功率器件及模组封装4万只/年、基于GaN的毫米微波系统产品3000套/年的小批量生产能力。
公开资料显示，航天科工成立于2017年1月，主要从事微电子系统产品研发、生产、销售。
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