就在刚刚，碳化硅行业又有2个重磅签约，合计金额超70亿元！
● 罗姆：与纬湃签订战略合作，订单金额超过71亿人民币。
● 中电化合物：与韩国Power Master公司签署战略合作协议。
罗姆：与纬湃签约
订单总值超71亿元
6月19日下午，罗姆官网宣布，他们与纬湃科技达成了一项价值10亿美元（约71.6亿元人民币）的碳化硅产品的长期供应协议（2024 年至 2030 年）。
据悉，纬湃将在逆变器中集成罗姆的SiC芯片，并为2家车企供货。
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据了解，这2家企业的合作关系始于2020年，为今天签署的签约奠定了基础——2020年6月，纬湃科技宣布跟罗姆合作开发800V和400V的SiC逆变器解决方案，并计划于2025 年开始生产第一台SiC逆变器，而此次合作也意味着该计划将提前实现。
纬湃首席执行官Andreas Wolf表示，“与罗姆的供应合作协议是确保我们未来几年SiC产能的一个重要基石。到目前为止，我们在开发合作方面已经有了非常好的经验，期待未来进一步加强合作”。
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除了罗姆外，今年5月底，纬湃还与安森美达成了一项价值19亿美元（约135亿元人民币）的碳化硅产品的长期供应协议。
此外，他们还向安森美提供2.5亿美元（约17.77亿人民币）的投资，用于购买SiC长晶、晶圆生产和外延的新设备，以确保获得SiC产能。
中电化合物：
与Power Master签约
今天，中电化合物宣布，他们于6月15日与韩国Power Master公司签署了战略合作协议。
泰国Hana集团CEO Mr. Richard David Han、COO Mr.Insuk Kim，韩国Power Master公司副总Mr.CB Son，以及华大半导体副总经理秦毅，中电化合物董事潘尧波、罗鹏出席此次签约仪式。
潘尧波代表中电化合物与Power Master签署了长期供应SiC材料的协议，包括8吋SiC。
据“行家说三代半”了解，Power Master（PMS）公司是由泰企恒诺微电子（HANA）于2018年全资成立的韩国公司，目前已建成韩国唯一的硅8英寸和碳化硅6英寸功率半导体晶圆厂，2021年在韩国首次发布了碳化硅MPS二极管。
2021年10月，HANA宣布以PMS公司的名义在韩国再建一家工厂，投资预算约为 20 亿泰铢（约3.8亿人民币）。2022年3月该公司推出韩国境内首颗1200V SiC MOSFET，在其清州6英寸碳化硅生产线上量产。
2023年4月，Power Master公司CEO金泰勋接受媒体采访透露，“我们正在向全球太阳能逆变器公司提供样品并准备测试。我们还与OBC公司就产品评估进行了讨论，我们计划从下半年开始分阶段量产。从明年开始，它计划实现500亿韩元（约2.6亿人民币）的总销售额，其中包括100亿韩元（5000万人民币）在SiC MOSFET领域。”
白皮书参编申请
《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 SiC产业关键技术进展
2.1 SiC特性及技术优势
2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 SiC外延技术分析
2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析
2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析
2.6 SiC模块技术进展及趋势分析
2.7 SiC关键设备和材料技术分析
2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析
第三章 全球SiC半导体产业竞争格局
3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段
3.2 各国/区域SiC代表厂商
3.3 SiC衬底竞争格局
3.4 SiC外延竞争格局
3.5 SiC器件/模块竞争格局
3.6 SiC关键设备/材料竞争格局
《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 GaN产业关键技术进展
2.1 GaN特性及技术优势
2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 GaN外延技术分析
2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析
2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析
2.6 GaN关键设备和材料技术分析
第四章 全球GaN半导体产业竞争格局
4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段
4.2 各国/区域GaN代表厂商
4.3 GaN衬底竞争格局
4.4 GaN外延竞争格局
4.5 GaN器件/模块竞争格局
4.6 GaN关键设备/材料竞争格局
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