第三代半导体年度国际领军企业
第三代半导体年度中国领军企业
第三代半导体年度新锐企业
第三代半导体年度设备/材料企业
中国SiC衬底十强
中国第三代半导体外延十强
中国GaN器件十强
中国SiC器件设计十强
中国SiC器件IDM十强
中国SiC模块十强
年度最具影响力产品
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烁科晶体:8英寸导电N型碳化硅衬底 -
普兴电子:6英寸车用大电流MOSFET碳化硅外延片 -
中电化合物:8英寸SiC外延片
SiC器件年度最具影响力产品获奖产品有:
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意法半导体:第三代碳化硅系列产品 -
瞻芯电子:第二代碳化硅(SiC)MOSFET
SiC模块年度最具影响力产品获奖产品有:
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英飞凌:62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅模块 -
芯聚能半导体:第二代车规级碳化硅三相全桥主驱模块 -
三菱电机:3.3kV集成SBD式SiC MOSFET模块(FMF800DC-66BEW)
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英诺赛科的低压氮化镓芯片 INN80LA01; -
罗姆半导体的650V耐压GaN HEMT。
年度优秀产品
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崇诚国际:氮化镓元件动态参数分析仪 -
天科合达:8英寸导电型碳化硅衬底 -
三安半导体:碳化硅MOSFET -
百识电子:第三代半导体 12000V碳化硅MOS级外延片 -
瑞能:第二代高功率密度1200V MOSFET产品系列 -
量芯微:高度集成 GaN IC IPM模块 -
基本半导体:新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET芯片B2M040120Z -
京东方华灿光电:1200V氮化镓水平式和垂直式功率器件 -
纳微半导体GeneSiC:3.3kV SiC MOSFETs -
北京中电科:WG-1261全自动减薄机 -
三安半导体:碳化硅衬底 -
联讯仪器:WAT6600并行半导体参数测试系统 -
才道精密仪器:原子力显微镜 -
飞锃半导体:车规级碳化硅MOSFET -
泰克科技:5系列B MSO混合信号示波器 -
清纯半导体:SiC MOSFET 1200V/7mR S1M007120H -
智程半导体:单片薄片清洗机 -
蓉矽半导体:NC1M120C40HT -
昕感科技:车规级碳化硅MOSFET器件 -
润新微电子:900V D-mode GaN器件 -
快克芯装备:微纳金属烧结设备 -
明锐理想:明锐半导体键合自动光学检查机-SW5000 -
国顺硅源:高纯甲基三氯硅烷(MTS) -
致能科技:ZN120C1R070W -
优晶科技:电阻法大尺寸碳化硅长晶设备 -
QORVO:750V 第四代SiC FET -
安世半导体 :SiC Schottky Diode (650 V, 10 A); PSC1065K -
国星光电:内绝缘分立器件技术方案及其产品 -
凌云光:第三代半导体化合物外延量测机台 -
安海半导体:ADQ120N016 和 AI3F02R12HPD


