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● 北一半导体：完成B+轮融资，推动SiC MOSFET产业化进程；
● 昕感科技：完成京能能源并购投资基金战略入股，SiC项目计划年底投产；
● 长飞先进：获东湖高新区股权激励专项资金支持，武汉SiC基地预计6月封顶；
● 季华恒一：完成A轮融资，发力SiC等领域的半导体装备产业化。
北一半导体：
完成B+轮融资
5月8日，北一半导体官微宣布，他们成功完成了B+轮融资。目前由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位，另有5000万元投资金额在结尾工作中，预计本轮融资总额将达到1.5亿元。
据悉，本轮融资资金将主要用于北一半导体SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。一方面，通过加大研发投入，加快技术创新的步伐，提升SiC MOS的性能指标和生产效率；另一方面，通过产线的升级与扩建，提高生产规模，满足市场需求，推动SiC MOS的产业化进程。
天眼查显示，北一半导体成立于2017年，专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售。此前，北一半导体还完成了两轮融资，其中B轮融资金额同样超1.5亿元，融资资金主要用于加速公司产线扩建、产品研发、团队扩建以及市场拓展等。
昕感科技：
再添战略股东
5月11日，昕感科技官宣完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股。
“行家说三代半”了解到，昕感科技自成立以来聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产。其SiC MOSFET累计出货客户百余家，产品可广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。
今年1月30日，昕感科技6英寸功率半导体制造项目封顶活动在江苏江阴高新区举行。该项目自2023年8月8日启动，总计投资超10亿元；4月29日该基地进入了采购设备和调试阶段，这片厂房的主体结构已于今年初全面封顶，计划年底前正式投产。
长飞先进：
武汉SiC基地6月封顶
5月10日，“创新光谷”官微宣布，长飞先进成功获得东湖高新区股权激励专项资金支持，帮助其建立和完善长期激励制度，助力其聚集核心人才。
项目方面，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼已提前封顶，预计今年6月全面封顶，明年7月投产。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
据悉，项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。
季华恒一：
完成A轮融资
5月12日，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司宣布，他们于近日完成了A轮融资。本次投资由优山资本领投，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投。
公开资料显示，季华恒一脱胎国内知名的科研机构季华实验室，成立于2021年6月，公司专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化，着力于开发满足高良率、稳定生产需求的SiC高温外延生长系统等等。
值得一提的是，去年5月，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单。
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